[发明专利]红外探测器及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010338053.X | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111664950B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 姜利军;张云胜;钱良山 | 申请(专利权)人: | 杭州大立微电子有限公司 |
主分类号: | G01J5/52 | 分类号: | G01J5/52;G01J5/00;G01V8/10;G01J5/10 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 310053 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种红外探测器,用于对被测物进行红外探测,其特征在于,包括标定模块,所述标定模块包括:
密封罩,罩设于衬底上表面,在所述衬底上表面形成第一密闭空间;
参考像元,设置于所述第一密闭空间内,用于检测红外光;
辐射源,设置于所述第一密闭空间内,用于发射红外光供所述参考像元获取并检测,且所述辐射源的温度可控;
还包括探测模块,用于对被测物进行红外探测,包括:
上盖,罩设于所述衬底上表面,在所述衬底上表面形成第二密闭空间;
检测像元,设置于所述第二密闭空间内,用于检测被测物的红外光;
上盖包括透明区域,所述被测物的红外光透过所述透明区域入射至所述检测像元。
2.根据权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述辐射源包括:
控制电路,连接至所述辐射源,用于控制所述辐射源工作在预设的温度下,发出已知的红外光。
3.根据权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述辐射源附着于所述密封罩的顶面内壁,或悬空设置于所述密封罩的顶面内壁,且所述辐射源表面涂覆有增加辐射率的涂层,包括金黑涂层、铂黑涂层或炭黑涂层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述第一密闭空间被抽真空,且所述密封罩的外表面形成有反射区域,涂覆有反射层,用于反射所述密封罩外的红外光。
5.根据权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述上盖的底面的内外表面均覆盖设置有增透膜,所述第一密闭空间和第二密闭空间内均设置有吸气剂。
6.一种红外探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一衬底和第二衬底;
在所述第一衬底上表面挖设第一凹槽;
在所述第一凹槽内形成辐射源,或在所述第二衬底上方形成辐射源,所述辐射源的温度可控;
在所述第二衬底表面形成参考像元;
将所述第一衬底倒扣到所述第二衬底表面,将所述参考像元设置到所述第一凹槽内,所述辐射源也设置在所述第一凹槽内;
将所述第一衬底倒扣到所述第二衬底表面前,还包括以下步骤:
在所述第一衬底上表面挖设第二凹槽,所述第二凹槽的尺寸与所述第一凹槽相等;
在所述第二衬底表面形成检测像元,所述检测像元的位置与所述第二凹槽的位置相对应,使所述第一衬底倒扣到所述第二衬底表面时,所述检测像元设置到所述第二凹槽内。
7.根据权利要求6所述的红外探测器的制备方法,其特征在于,所述第一凹槽和第二凹槽分别形成于所述第一衬底的左侧和右侧,所述第一凹槽的左侧壁的厚度与第二凹槽的右侧面的厚度相等,将所述第一衬底倒扣到所述第二衬底表面后,还包括以下步骤:
沿垂直所述第二衬底上表面的方向垂直向下定向刻蚀所述第一衬底,直至所述第二衬底的上表面外露,且所述第一衬底的被刻蚀区域位于所述第一凹槽和第二凹槽之间,刻蚀后所述第一凹槽的右侧壁、所述第二凹槽的左侧壁厚度、所述第一凹槽的左侧壁的厚度以及所述第二凹槽的右侧面的厚度相等。
8.根据权利要求6所述的红外探测器的制备方法,其特征在于,在所述第一凹槽内形成辐射源时,包括以下步骤:
在所述辐射源表面形成增加辐射率的涂层,包括金黑涂层、铂黑涂层或炭黑涂层中的至少一种;
在所述第一凹槽的底表面挖设通孔;
在所述通孔内形成控制电路,并连接所述控制电路以及所述辐射源,使所述辐射源受所述控制电路控制,工作在指定温度下,发出已知的红外光。
9.根据权利要求6所述的红外探测器的制备方法,其特征在于,在所述第二衬底上方形成辐射源时,包括以下步骤:
在所述辐射源表面形成增加辐射率的涂层,包括金黑涂层、铂黑涂层或炭黑涂层中的至少一种;
在所述第二衬底内形成控制电路,并连接所述控制电路以及所述辐射源,使所述辐射源受所述控制电路控制,工作在指定温度下,发出已知的红外光。
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