[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的多个电致发光二极管；其中，所述电致发光二极管包括层叠设置的阳极和阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光功能层；

所述发光功能层包括多层量子点发光层以及位于每相邻两层所述量子点发光层之间的有机隔绝层；在垂直于所述衬底基板且由所述阳极指向所述阴极的方向上，所述发光功能层中的各层的HOMO能级呈现台阶式由高到低变化；

所述有机隔绝层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度不小于15nm且不大于20nm。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机隔绝层的材料包括禁带宽度大于2.3ev的有机材料。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有机隔绝层的材料包括基本单元材料、吸电子基团和供电子基团。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基本单元材料包括：芴类，二苯基醚类，四苯基硅烷类中的至少一种；和/或，

所述吸电子基团包括：酰基、醛基、羧基、酰氨基、酯基、磺酸基、腈基、硝基、卤仿基、季胺基中的至少一种；和/或，

所述供电子基团包括：氨基、羟基、烷氧基、氨酰基、胺醛基、苯基、烷基中的至少一种。

5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述量子点发光层包括：主体材料和配体材料；

所述主体材料包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPhI₃、CdS/ZnS核/壳、CdSe/ZnS核/壳、ZnSe、InP/ZnS核/壳、PbS/ZnS核/壳、CsPbCl₃/ZnS核/壳、CsPbBr₃/ZnS核/壳、CsPhI₃/ZnS核/壳中的至少一种；和/或，

所述配体材料包括：三苯胺类，咔唑类，芴类，螺芴类，噻吩类中的至少一种。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，靠近所述阳极的量子点发光层中的配体材料还包括供电子基团；和/或，

靠近所述阴极的量子点发光层中的配体材料还包括吸电子基团。

7.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述量子点发光层为两层；所述两层量子点发光层包括位于所述阳极与所述有机隔绝层之间的第一量子点发光层以及位于所述阴极与所述有机隔绝层之间的第二量子点发光层；

所述第一量子点发光层的HOMO能级、所述有机隔绝层的HOMO能级以及所述第二量子点发光层的HOMO能级呈现台阶式由高到低变化。

8.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述阳极和所述发光功能层之间的空穴传输层，以及位于所述发光功能层与所述阴极之间的电子传输层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种如权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在所述衬底基板上形成多个阳极；

在所述阳极背离所述衬底基板一侧依次形成多层量子点发光层以及位于每相邻两层所述量子点发光层之间的有机隔绝层；

在所述衬底基板上形成阴极。