[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，电致发光二极管包括层叠设置的阳极和阴极以及位于阳极和阴极之间的发光功能层。并且，发光功能层包括多层量子点发光层以及位于每相邻两层量子点发光层之间的有机隔绝层；在垂直于衬底基板且由阳极指向阴极的方向上，发光功能层中的各层的HOMO能级呈现台阶式由高到低变化，以使空穴更容易跃迁。通过将发光功能层进行多膜层化，可以使相邻的量子点发光层之间的势垒减小。以及，通过在相邻两层量子点发光层之间添加一层有机隔绝层，可以阻止量子点发光层之间的互溶，也可以将未在量子点发光层复合的激子以能量转移的方式传递给量子点，以扩大载流子复合区域，改善载流子传输和平衡。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及显示装置。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot Light Emitting Diodes，QLED)具有发光强度高，单色性好，色彩饱和度高，稳定性好等优点，因此，QLED在显示领域有良好的应用前景。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板、其制备方法及显示装置，用以提高QLED中的载流子传输和平衡。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的多个电致发光二极管；其中，所述电致发光二极管包括层叠设置的阳极和阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光功能层；

所述发光功能层包括多层量子点发光层以及位于每相邻两层所述量子点发光层之间的有机隔绝层；在垂直于所述衬底基板且由所述阳极指向所述阴极的方向上，所述发光功能层中的各层的HOMO能级呈现台阶式由高到低变化。

在一些示例中，所述有机隔绝层的材料包括禁带宽度大于2.3ev的有机材料。

在一些示例中，所述有机隔绝层的材料包括基本单元材料、吸电子基团和供电子基团。

在一些示例中，所述基本单元材料包括：芴类，二苯基醚类，四苯基硅烷类中的至少一种；和/或，

所述吸电子基团包括：酰基、醛基、羧基、酰氨基、酯基、磺酸基、腈基、硝基、卤仿基、季胺基中的至少一种；和/或，

所述供电子基团包括：氨基、羟基、烷氧基、氨酰基、胺醛基、苯基、烷基中的至少一种。

在一些示例中，所述量子点发光层包括：主体材料和配体材料；

所述主体材料包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPhI₃、CdS/ZnS核/壳、CdSe/ZnS核/壳、ZnSe、InP/ZnS核/壳、PbS/ZnS核/壳、CsPbCl₃/ZnS核/壳、CsPbBr₃/ZnS核/壳、CsPhI₃/ZnS核/壳中的至少一种；和/或，

所述配体材料包括：三苯胺类，咔唑类，芴类，螺芴类，噻吩类中的至少一种。

在一些示例中，靠近所述阳极的量子点发光层中的配体材料还包括供电子基团；和/或，

靠近所述阴极的量子点发光层中的配体材料还包括吸电子基团。

在一些示例中，所述量子点发光层为两层；所述两层量子点发光层包括位于所述阳极与所述有机隔绝层之间的第一量子点发光层以及位于所述阴极与所述有机隔绝层之间的第二量子点发光层；

所述第一量子点发光层的HOMO能级、所述有机隔绝层的HOMO能级以及所述第二量子点发光层的HOMO能级呈现台阶式由高到低变化。

在一些示例中，所述阵列基板还包括：位于所述阳极和所述发光功能层之间的空穴传输层，以及位于所述发光功能层与所述阴极之间的电子传输层。