[发明专利]集成器件制造方法及相关产品

权利要求书

1.一种集成器件制造方法，其特征在于，应用于器件制造系统，所述器件制造系统用于制造集成至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管InP HEMT和至少一个滤波器的集成器件，所述滤波器包括无源LC滤波器，所述方法包括：

提供晶圆，并在所述晶圆上设置外延结构；

针对所述InP HEMT的外延结构执行预设的InP HEMT制造工艺，得到所述InP HEMT，并制作电感和电容以形成滤波器；

设置金属连线和/或空气桥以连接所述InP HEMT与所述滤波器，形成集成InP HEMT和所述LC滤波器的集成器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述InP HEMT，用于制作以下任意一种或多种器件：基于InP HEMT的低噪放大器、基于InP HEMT的射频开关、基于InP HEMT的功率放大器。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对所述InP HEMT的外延结构执行所述预设的InP HEMT制造工艺，包括：

在所述InP HEMT的外延结构上方制作源极和漏极；

在所述InP HEMT的外延结构的上端面制作InP HEMT第一钝化层，所述InP HEMT钝化层包括绝缘材料；

刻蚀所述第一钝化层以在所述InP HEMT的外延结构上方制作栅极；

在所述第一钝化层的上表面设置第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述源极、漏极和栅极的外表面；

在所述源极和所述漏极的上端面，设置第一金属层，在第一金属层的上方设置第二金属层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在制作InP HEMT的同时，制作电感和电容以形成LC滤波器。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述LC滤波器的电感的制作，包括：

在钝化层上制作用于电感绕组的金属层；

对所述金属层进行涂胶、对准、曝光、显影、刻蚀；

对所述刻蚀后的金属层进行去胶、清洗处理，得到电感。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述LC滤波器的电容的制作，包括：

在所述钝化层上制作电容下电极；

制作电容介质层，所述电容介质层覆盖所述下电极的外表面；

刻蚀所述电容介质层，得到第一通孔；

在所述电容介质层的上端面制作金属间绝缘层，并刻蚀所述金属间绝缘层，得到第二通孔；

通过所述第一通孔设置第一金属引脚，通过所述第二通孔设置第二金属层与第二金属引脚。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LC滤波器包括电阻，所述电阻的制作方法包括：

在所述钝化层上方制作薄膜电阻层；

针对所述薄膜电阻层进行涂胶、对准、曝光、显影、刻蚀；

去胶、清洗所述刻蚀后的薄膜电阻层，得到所述电阻。

8.一种集成器件，其特征在于，所述集成器件集成至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管InP HEMT和至少一个滤波器；

其中，所述InP HEMT用于制作以下任意一种或多种器件：基于InP HEMT的低噪放大器、基于InP HEMT的射频开关、基于InP HEMT的功率放大器；

其中，所述滤波器包括无源LC滤波器；

其中，所述基于InP HEMT的器件和所述滤波器共用同一块晶圆作为衬底，若以所述晶圆的一个端面为所述晶圆的上端面，以所述晶圆的一个端面为所述晶圆的下端面，则所述晶圆的上端面设置有外延结构，所述外延层上制作InP HEMT，并制作所述滤波器的电感和电容，以及连接所述InP HEMT与所述滤波器的跨接金属连线和/或空气桥。