[发明专利]集成器件制造方法及相关产品

说明书

本申请实施例公开了一种集成器件制造方法及相关产品，所述集成器件包括至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)和至少一个LC滤波器。制作方法包括：提供晶圆，并在所述晶圆上设置外延结构；针对所述外延结构执行InP HEMT制造工艺，同时制作电感和电容，形成滤波器。设置金属连线和/或空气桥以连接功率放大器与滤波器的电感和电容，形成功率放大器与滤波器的集成芯片。InP HEMT适用于制作基于InP HEMT的、应用于毫米波和太赫兹通信的功率放大器、低噪放大器以及射频开关。将不同的器件制作在同一芯片上，提高产品的集成度，减小产品尺寸，提升产品性能。

技术领域

本申请涉及无线通讯领域，具体涉及射频前端器件，尤其是一种集成器件制造方法及相关产品。

背景技术

随着通信技术的不断发展，在5G及未来通信中，射频器件会得到越来越广泛的应用，涉及卫星通信、航空航天、国防系统，也包括基站、手机和其它各种智能终端设备。对射频器件的频率要求也越来越高。磷化铟(InP)材料具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点。磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)被用于制作实现毫米波和太赫兹通讯的器件，如功率发大器、低噪放大器、射频开关等。目前，各种射频前端芯片，比如功率发大器、滤波器、低噪放大器和射频开关，由不同厂家生产，或者由同一公司的不同产品线制作完成，然后在封装阶段集成到一个模块提供给终端用户。

发明内容

本申请实施例提供了一种集成器件制造方法及相关产品，通过将射频前端包括的多个器件比如滤波器与功率放大器，集成在同一个芯片上，可以减小器件尺寸、降低制作成本、提高器件性能。

第一方面，本申请实施例提供了一种集成器件制造方法，应用于器件制造系统，所述器件制造系统用于制造集成至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管InP HEMT和至少一个滤波器的集成器件，所述滤波器包括无源LC滤波器，所述方法包括：

提供晶圆，并在所述晶圆上设置外延结构；

针对所述InP HEMT的外延结构执行预设的InP HEMT制造工艺，得到所述InPHEMT，并制作电感和电容以形成滤波器；

设置金属连线和/或空气桥以连接所述InP HEMT与所述滤波器，形成集成InPHEMT和所述LC滤波器的集成器件。

第二方面，本申请实施例提供了一种集成器件，所述集成器件集成至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管InP HEMT和至少一个滤波器；

其中，所述InP HEMT用于制作以下任意一种或多种器件：基于InP HEMT的低噪放大器、基于InP HEMT的射频开关、基于InP HEMT的功率放大器；

其中，所述滤波器包括无源LC滤波器；

其中，所述基于InP HEMT的器件和所述滤波器共用同一块晶圆作为衬底，若以所述晶圆的一个端面为所述晶圆的上端面，以所述晶圆的一个端面为所述晶圆的下端面，则所述晶圆的上端面设置有外延结构，所述外延层上制作InP HEMT，并制作所述滤波器的电感和电容，以及连接所述InP HEMT与所述滤波器的跨接金属连线和/或空气桥。

可以看出，本申请实施例中，通过将至少一个磷化铟高电子迁移率晶体管InPHEMT和至少一个滤波器，集成在同一芯片上同时制作完成，即一颗芯片可以集成射频前端的两个或多个器件。从而极大地减小器件的尺寸、提高器件的性能、降低产品的成本。进一步的，由于InP HEMT具有高频、高功率、低噪声及抗辐射的性能，利用InP HEMT制作射频前端各种功能的器件，比如功率发大器、低噪放大器和射频开关等，能提升射频前端的性能。

附图说明