[发明专利]一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法有效
申请号: | 202010340344.2 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111415954B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 蔡小虎;温建新 | 申请(专利权)人: | 上海微阱电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;马盼 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背照式 图像传感器 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器芯片的封装结构,其特征在于,包括背照式图像传感器芯片、基板、键合板、封装层和玻璃盖板,其中,背照式图像传感器芯片内圈包含感光单元,基板外圈包括凹槽;所述背照式图像传感器芯片背面通过粘贴层与所述基板内圈粘合;所述背照式图像传感器芯片正面与所述键合板键合,所述键合板位于所述基板的外侧下方,所述封装层覆盖在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面,且所述封装层填充所述凹槽;所述封装层中靠近背照式图像传感器芯片内圈的部分为台阶状封装层,所述台阶状封装层靠近背照式图像传感器芯片内圈的侧壁为齿状,所述玻璃盖板位于所述封装层上表面,且所述玻璃盖板位于所述背照式图像传感器芯片内圈正上方。
2.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器芯片的封装结构,其特征在于,所述粘贴层与所述背照式图像传感器芯片背面之间还包括遮光层。
3.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器芯片的封装结构,其特征在于,所述粘贴层包括树脂和氧化硅混合物。
4.根据权利要求1所述的一种背照式图像传感器芯片的封装结构,其特征在于,所述玻璃盖板位于所述台阶状封装层上。
5.一种背照式图像传感器芯片的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
S01:背照式图像传感器芯片背面沉积粘贴层;
S02:在基板外圈上制备凹槽,并将基板内圈与所述背照式图像传感器芯片背面粘合;
S03:将背照式图像传感器芯片正面与键合板键合;所述键合板位于所述基板的外侧下方;
S04:在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面沉积封装层,所述封装层填充所述凹槽;所述封装层中靠近背照式图像传感器芯片内圈的部分为台阶状封装层,所述台阶状封装层靠近背照式图像传感器芯片内圈的侧壁为齿状;
S05:在所述封装层上表面覆盖玻璃盖板,所述玻璃盖板位于所述背照式图像传感器芯片内圈正上方;所述背照式图像传感器芯片内圈包含感光单元。
6.根据权利要求5所述的一种背照式图像传感器芯片的封装方法,其特征在于,所述步骤S01中采用刷胶或者贴膜的方式在所述背照式图像传感器芯片背面沉积粘贴层。
7.根据权利要求5所述的一种背照式图像传感器芯片的封装方法,其特征在于,所述步骤S04中采用封装模具制备所述封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的