[发明专利]一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法

说明书

本发明公开了一种背照式图像传感器芯片的封装结构，包括背照式图像传感器芯片、基板、键合板、封装层和玻璃盖板，其中，背照式图像传感器芯片内圈包含感光单元，基板外圈包括凹槽；所述背照式图像传感器芯片背面通过粘贴层与所述基板内圈粘合；所述背照式图像传感器芯片正面与所述键合板键合，所述封装层覆盖在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面，且所述封装层填充所述凹槽；所述玻璃盖板位于所述封装层上表面。本发明提供的一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法，可以有效保护引线、减小空腔体积、增大封装结构整体结合力，延长背照式图像传感器芯片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及图像传感器芯片封装工艺，具体涉及一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法。

背景技术

背照式图像传感器将感光层的元件调转方向，使得入射光从背面直射进去，避免了传统CMOS图像传感器结构中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响，从而显著提高光的效能，大大改善低光照条件下的拍摄效果。综合以上的因素，背照式图像传感器比传统图像传感器在灵敏度会上有质的飞跃，进而使得低光照度下的对焦能力和画质有极大的提升。

背照式图像传感器芯片在制备完成之后，需要进行封装，封装之后的背照式图像传感器芯片才能应用于实践中。现有的封装结构方法如附图1所示，通常将背照式图像传感器芯片背面减薄之后进行划片，再采用基板对划片之后的背照式图像传感器芯片进行装片，装片之后进行背照式图像传感器芯片和基板的键合，最后采用玻璃盖板覆盖背照式图像传感器芯片即可。采样上述封装方法形成的结构如附图2所示，该结构存在背照式图像传感器芯片正面和键合板之间的引线裸露、封装空腔过大、玻璃盖板结合力弱、背照式图像传感器芯片与基板结合面易分离等等问题，尤其在高温高湿等恶劣工作环境下，容易发生封装结构开裂的现象，从而引起背照式图像传感器失效。

发明内容

本发明的目的是提供一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法，可以有效保护引线、减小空腔体积、增大封装结构整体结合力，延长背照式图像传感器芯片的使用寿命。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种背照式图像传感器芯片的封装结构，包括背照式图像传感器芯片、基板、键合板、封装层和玻璃盖板，其中，背照式图像传感器芯片内圈包含感光单元，基板外圈包括凹槽；所述背照式图像传感器芯片背面通过粘贴层与所述基板内圈粘合；所述背照式图像传感器芯片正面与所述键合板键合，所述封装层覆盖在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面，且所述封装层填充所述凹槽；所述玻璃盖板位于所述封装层上表面，且所述玻璃盖板位于所述背照式图像传感器芯片内圈正上方。

进一步地，所述粘贴层与所述背照式图像传感器芯片背面之间还包括遮光层。

进一步地，所述粘贴层包括树脂和氧化硅混合物。

进一步地，所述封装层中靠近背照式图像传感器芯片内圈的部分为台阶状封装层。

进一步地，所述台阶状封装层靠近背照式图像传感器芯片内圈的侧壁为齿状。

进一步地，所述玻璃盖板位于所述台阶状封装层上。

进一步地，所述键合板位于所述基板的外侧下方。

一种背照式图像传感器芯片的封装方法，包括如下步骤：

S01：背照式图像传感器芯片背面沉积粘贴层；

S02：在基板外圈上制备凹槽，并将基板内圈与所述背照式图像传感器芯片背面粘合；

S03：将背照式图像传感器芯片正面与键合板键合；

S04：在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面沉积封装层，所述封装层填充所述凹槽；