[发明专利]具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品有效
申请号: | 202010342097.X | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111570216B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 宗坚;蔡泉源;蒋金海 | 申请(专利权)人: | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | B05D1/00 | 分类号: | B05D1/00;B05D7/00;B05D7/24;B05D7/14;C09D4/02;B05D3/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 硅烷 过渡 复合 防护 及其 制备 方法 产品 | ||
1.具有硅烷过渡层的复合防护膜层,其特征在于,包括:
一硅烷过渡层,其中所述硅烷过渡层是由有机硅烷通过等离子化学气相沉积形成;和
一涂层,其中在形成所述硅烷过渡层之后,所述涂层由第一单体和第二单体通过等离子化学气相沉积在所述硅烷过渡层形成,其中所述第一单体包括选自组合低偶极矩有机物单体和多官能度丙烯酸酯类化合物中的一种或两种,其中所述第二单体包括氟碳酸酯类化合物。
2.根据权利要求1所述的复合防护膜层,其中所述硅烷过渡层沉积于一基材的表面。
3.根据权利要求1所述的复合防护膜层,其中所述硅烷过渡层由疏水硅烷和/或亲水硅烷通过等离子化学气相沉积形成。
4.根据权利要求1至3任一所述的复合防护膜层,其中所述硅烷过渡层是由所述有机硅烷和缓蚀剂通过等离子化学气相沉积形成,所述缓蚀剂是有机缓蚀剂,其中所述有机缓蚀剂选自组合:咪唑类及其盐、喹啉类及其盐、嘧啶类及其盐、苯骈三氮唑及其衍生物、有机胺类中的一种或几种。
5.根据权利要求4所述的复合防护膜层,其中所述缓蚀剂是有机缓蚀剂,其中所述有机缓蚀剂选自组合:苯骈三氮唑、苯并咪唑、2-硫基-1-甲基咪唑、二巯基噻二唑、1-苯基-4-甲基咪唑、吡唑啉、四唑、尿嘧啶、5-胺基尿嘧啶、二硫尿嘧啶、N-(2-糠基)-p-甲苯胺、N-(5-甲基-2-糠基)-p-甲苯胺、羟基喹啉中的一种或几种。
6.根据权利要求4所述的复合防护膜层,其中所述缓释剂是有机缓释剂,并且选自组合:苯骈三氮唑、二硫尿嘧啶、二巯基噻二唑中的一种或者几种。
7.根据权利要求1至3任一所述的复合防护膜层,其中所述硅烷过渡层是由有机硅烷和缓蚀剂通过等离子化学气相沉积形成,所述缓蚀剂是无机缓蚀剂,其中所述无机缓蚀剂是稀土硝酸盐。
8.根据权利要求7所述的复合防护膜层,其中所述无机缓蚀剂选自组合:硝酸镧、硝酸铈、硝酸钼、硝酸铒、硝酸锆、硝酸钴、硝酸钇、硝酸钪以及硝酸铟的一种或几种。
9.根据权利要求7所述的复合防护膜层,其中所述无机缓释剂选自组合:硝酸镧、硝酸铈中的一种或者几种。
10.根据权利要求1至3任一所述的复合防护膜层,其中所述有机硅烷的结构式为Y-R-SiX3,其中Y是脲基、羧酸、醚基、氨基、烃基、硫基、酯基、苯基、环氧基中的一种,其中R是有机碳链,其中X选自带氧基团、卤素基团和带氮基团中的一种。
11.根据权利要求10所述的复合防护膜层,其中R是有机碳链包括C-C、C=C、C-N-C、C-S-C中的一种。
12.根据权利要求10所述的复合防护膜层,其中X是甲氧基、乙氧基、氯基、溴基、乙酰氧基、氨基中的一种。
13.根据权利要求10所述的复合防护膜层,其中所述有机硅烷包括亲水硅烷,并且选自组合:脲基丙基三乙氧基硅烷、脲基丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、2-氨乙基-氨丙基三甲氧基硅烷、二乙烯三氨基丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷和二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种。
14.根据权利要求10所述的复合防护膜层,其中所述有机硅烷选自组合:脲基丙基三甲氧基硅烷、2-氨乙基-氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司,未经江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010342097.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。