[发明专利]具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品有效
申请号: | 202010342097.X | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111570216B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 宗坚;蔡泉源;蒋金海 | 申请(专利权)人: | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | B05D1/00 | 分类号: | B05D1/00;B05D7/00;B05D7/24;B05D7/14;C09D4/02;B05D3/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 硅烷 过渡 复合 防护 及其 制备 方法 产品 | ||
具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述具有硅烷过渡层的复合防护膜层包括一硅烷过渡层和一涂层,其中所述硅烷过渡层是由有机硅烷通过等离子化学气相沉积形成,其中在形成所述硅烷过渡层之后,所述涂层由第一单体和第二单体通过等离子化学气相沉积在所述硅烷过渡层形成,其中所述第一单体是选自低偶极矩有机物单体和多官能度丙烯酸酯类化合物中的一种或两种,其中所述第二单体是氟碳酸酯类化合物。
技术领域
本发明涉及表面处理技术领域,尤其涉及到具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品。
背景技术
三防,也就是防霉菌、防潮湿和防盐雾,是电子设备在存储、运输和使用过程中十分需要注意的问题。一旦防护措施不到位,电子设备就可能因为其中任何一个问题导致短路而失效。
目前,采用防护膜层对于电子产品进行防护,是应对三防问题的有效措施。防护膜层通过特定的方法在电子产品的表面被制备,通常有两种方式,一种是液相制备方法,另一种是气相制备方法。前一种方法通过热固化或者是光固化在电子产品表面形成致密有机涂层。然而在生产过程中会产生废水、废气和废液,使用的溶剂对于电子产品会造成一定的损伤。液相制备方法制备的膜层厚度大多数在几十微米,对于电子产品的散热和信号传输造成影响。
后一种方法中最典型的应用是蒸镀派瑞林涂层,派瑞林涂层是对二甲苯的聚合物。在这种方式中,首先加热对二甲苯至680摄氏度,以形成具有活性的对二甲苯二聚体,然后降低温度以使得聚合体能够沉积在电子产品表面形成聚合物涂层。然而聚对二甲苯需要在真空条件下沉积制备,也就是说,涂层制备的条件要求高温和高真空度。另外,和液相法类似,蒸镀派瑞林涂层的膜厚需要在几十微米,如果膜层厚度较小,将影响到膜层对于电子产品的防护性能。
进一步地,采用液相制备方法或者是蒸镀派瑞林涂层的方法制备膜层,其对于原料单体的选择性差,并且制备获得的大多数是单一膜层,难以满足不同环境下对于电子产品的防护要求。
发明内容
本发明的一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中复合防护膜层对于制备条件的要求较低,适于推广应用。
本发明的另一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述复合防护膜层的厚度能够被制备的较薄,比如说纳米级,并且在厚度较薄时仍然可以提供较佳的防护性能。
本发明的另一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述复合防护膜层采用等离子化学气相沉积方法进行制备,能够适于多种原料单体。
本发明的另一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述复合防护膜层采用等离子化学气相沉积方法进行制备,制备温度较低,适于对于多种类型的电子设备进行制备,并且在制备过程中不会对于电子设备本身造成损伤。
本发明的另一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述复合防护膜层包括一硅烷过渡层和一涂层,其中所述硅烷过渡层能够提高所述复合防护膜层和电子设备之间的结合力。
本发明的另一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述硅烷过渡层能够提高所述复合防护膜层的耐腐蚀性能。
本发明的另一优势在于提供一具有硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述复合膜层通过引入多官能团在等离子放电环境下形成多个活性位点从而交联形成致密的网状结构,以提高耐腐蚀性能和稳定性。
本发明的另一优势在于提供一硅烷过渡层的复合防护膜层及其制备方法和产品,其中所述制备方法通过多通道进料的方式减少了传统制备方法中单通道进行原料单体相互反应的现象。
根据本发明的一方面,本发明提供了一具有硅烷过渡层的复合防护膜层,其包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司,未经江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010342097.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。