[发明专利]3D存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：

在衬底上形成牺牲叠层结构，所述牺牲叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层与多个层间绝缘层；

形成贯穿所述牺牲叠层结构的多个沟道柱和多个伪沟道柱，所述多个沟道柱和所述多个伪沟道柱分别位于彼此邻接的单元区和外围区中；

经由抗蚀剂掩模的开口蚀刻所述牺牲叠层结构以形成多个栅线缝隙，所述多个栅线缝隙从所述单元区延伸至所述外围区，并且将所述多个牺牲层分隔成多个彼此隔开的部分；

采用所述多个栅线缝隙作为蚀刻通道和沉积通道，将所述多个牺牲层替换成多个栅极导体，以形成栅叠层结构，

其中，所述牺牲叠层结构在所述外围区形成有台阶结构，在所述外围区中，所述多个栅线缝隙贯穿的多个牺牲层的数量逐渐减小导致所述多个栅线缝隙的横向蚀刻速度逐渐增大，所述抗蚀剂掩模的开口宽度，随着与所述单元区和所述外围区之间的边界的距离而变化，以预补偿所述多个栅线缝隙的横向蚀刻速度差异。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述外围区中，所述抗蚀剂掩模的开口宽度，随着与所述单元区和所述外围区之间的边界的距离增加而减小。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述抗蚀剂掩模的开口宽度分段式变化，或者连续变化。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个牺牲层从所述单元区延伸至所述外围区，并且在所述外围区中呈台阶状。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个栅极导体从所述单元区延伸至所述外围区，并且在所述外围区中呈台阶状。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述多个栅极导体的至少一部分形成台阶表面，并且所述多个栅极导体中最顶部层面的栅极导体的台阶边缘对应于所述单元区和所述外围区之间的边界。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述多个栅线缝隙将所述多个栅极导体分别隔开成与多个指状存储区相对应的多条栅线。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述多个沟道柱在所述多条栅线中分别排列成第一柱阵列，所述多个伪沟道柱在所述多条栅线中分别排列成第二柱阵列。

9.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：在所述衬底中形成公共源区，所述多个沟道柱到达所述公共源区。