[发明专利]一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法

说明书

本发明公开了一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法；属于半导体材料技术领域；技术方案是选择高纯石墨粉、高纯Si粉和聚四氟乙烯粉混合后置于加热炉中，向炉腔内注入高纯H₂，保持一定时间后抽真空；加热炉升温至850‑990℃，再次注入高纯H₂，保持一定时间后再次抽真空，之后再次升温至1000℃‑1200℃，进行SiC合成反应得到高纯β‑SiC粉体；继续将高纯H₂、高纯Ar与高纯HCl注入炉腔，升温至1900℃‑2100℃进行转化合成反应得到高纯α‑SiC粉体；本发明通过提高环境纯度以及限定工艺参数有效提高最终碳化硅粉体的纯度，适用于高纯半绝缘碳化硅的单晶生长。

技术领域

本发明涉及电力电子工业、半导体材料领域，尤其是碳化硅单晶材料，更具体地涉及一种用于高纯半绝缘碳化硅单晶生长用的高纯碳化硅粉料制备方法。

背景技术

电力电子是国民经济和国家安全领域的重要支撑技术，随着信息产业的快速发展和微电子技术的进步，新型电子元器件正在向耐高压、大容量、高频率、高可靠性和高集成化方向发展， SiC单晶作为第三代宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、高温电子器件理想的半导体材料，在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用。由于碳化硅的这些优异特性，近年来许多国家都相继投入大量资金对其进行深入研究，并在碳化硅晶体生长技术、关键器件工艺、光电器件开发、碳化硅集成电路制造等方面取得了突破。目前SiC单晶的制备普遍采用PVT(物理气相传输)法，而其中SiC粉料的纯度以及其他参数对PVT法制备的SiC单晶尤其是N型和高纯半绝缘单晶的结晶质量与电学性质起着至关重要的作用。

一般来说，SiC粉料合成的方法主要有三种：Acheson法、有机合成法和自蔓延法。Acheson 法是在高温、强电场作用下, SiO₂被C还原，首先生成β-SiC ,高温下转变成α-SiC。这种方法合成的SiC粉末需要粉碎、酸洗等工序，杂质含量较高，其纯度无法达到生长半导体单晶的水平。有机合成法主要用于制备纳米级SiC粉，合成的原料中有多种杂质元素，虽然通过后续处理可以得到纯度很高的高纯SiC粉料，但后续处理过程复杂，微粉收集困难，不适合大量生产使用，且易产生对人体有害的物质，此外，该法合成的SiC粉料粒度太小，会严重影响SiC单晶的结晶质量。高温自蔓延方法是利用物质反应热的自传导作用，使物质之间发生化学反应，在极短时间内形成化合物的高温合成反应。自蔓延法是C粉Si粉直接接触发生反应生成SiC的方法。目前该方法已被广泛用于高纯SiC粉料制备。

中国专利文件CN102701208A公开了高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，该方法将高纯硅粉和高纯碳粉混合均匀后，然后进行高真空热处理，即采用高纯惰性气体在不同压力和不同温度下抽真空清洗，然后在1800-2100℃进行高温合成，最终获得氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。CN103708463A公开了公斤级高纯碳化硅粉的制备方法，该方法首先进行坩埚镀膜预处理，先镀碳膜后镀碳化硅膜，然后将硅粉和碳粉混合均匀后放入中频加热炉，在1500-1900℃之间高温合成获得公斤级高纯碳化硅粉料。CN101302011A公开了用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，主要采用二次合成方法，将硅粉和碳粉混合后，第一次先低温1500℃合成，然后将一次合成的粉料混合均匀后升高温度到1800-2000℃进行二次合成，该方法可有效去除硅粉和碳粉中的杂质元素。CN104828825A公开了用高纯碳纤维与高纯Si粉低温合成碳化硅粉料的方法。CN103508454B公开了三次合成高纯碳化硅粉料的方法，先在高温下利用高纯C粉Si粉初次合成碳化硅，紧接着压碎后高温氧化形成二次碳化硅，最后高温真空脱气，形成三次碳化硅粉料。得到的三次碳化硅粉料还需经湿法化学冶金处理工艺处理。最终得到高纯碳化硅粉料。CN102674357A公开了利用高纯C粉与Si粉先经过预处理工序，然后通过高温合成工序合成高纯碳化硅粉料的方法。