[发明专利]一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法有效
申请号: | 202010342969.2 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111460755B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 胡传菊 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F111/20 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ic 版图 设计 任意 角度 图形 生成 方法 | ||
1.一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,包括以下步骤:
1)确定旋转角度和级数
根据版图和工艺的实际要求,确定电子需要旋转的角度及电子需要流过的级数;
2)计算电子转弯半径、角度
计算版图上供电子转弯的扇形的内、外半径R1和R2,根据步骤1)的级数,确定每层多晶硅射线的根数,为级数加一;对不同的多晶硅,确定射线旋转的角度,为每级的中环线长度除以(R1+R2)/2;
3)绘制两个同心圆环
在沟道截止层上绘制两个同心圆环;
4)绘制旋转等角度的射线
根据工艺要求确定射线的宽度,结合步骤2)获得的射线旋转的角度,绘制出版图中多晶硅的重叠部分;
5)产生间隙的图形
添加一些辅助层次,与射线做与非操作,得到间隙的图形,修改这些间隙的图形的属性,得到每一级的图形;
6)得到所需的拐角单元
对间隙的图形剪切,将内、外圆环多余的多晶硅删除,得到所需要的拐角单元。
2.根据权利要求1所述的一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,步骤1)中,级数根据电子转向时电子在中环线上所走的距离除以每一级的宽度确定。
3.根据权利要求1所述的一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,步骤4)绘制旋转等角度的射线,具体步骤为:
(1)调用程序生成的工具框:在Virtuoso的版图界面菜单中,选择EMCCD_TOOL 下拉菜单,在弹出的创建射线的用户输入菜单中输入参数;
(2)自动生成从原点发出的具有一设定宽度的角度均匀的射线。
4.根据权利要求3所述的一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,步骤(1)中输入的参数包括:在180度的范围内需要画的射线的根数、射线的宽度、射线的长度、起始坐标和需要旋转的角度。
5.根据权利要求3所述的一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,步骤(1)程序生成工具框的步骤为:
(1.1)编写程序:编写从原点绘制等宽、等角度旋转的射线的程序,形成一个程序文件program;编写一个创建射线的用户输入菜单嵌入到Virtuoso软件菜单中的程序;
(1.2)程序配置:将程序文件program配置到Virtuoso软件环境,virtuoso软件启动时,自动加载此程序文件program;
(1.3)生成工具框:在Virtuoso的版图界面中的下拉菜单中生成创建射线的用户输入菜单;当点击用户输入菜单时,弹出创建射线的对话框,供用户进行输入参数的设置。
6.根据权利要求1所述的一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,步骤5)中,间隙的图形为楔形图形。
7.根据权利要求1所述的一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,其特征是,步骤6)中,多层多晶硅组成一级,每一级的面积、多晶硅与多晶硅的交叠都完全相同。
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