[发明专利]一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法有效
申请号: | 202010342969.2 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111460755B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 胡传菊 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F111/20 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ic 版图 设计 任意 角度 图形 生成 方法 | ||
本发明公开了一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,包括以下步骤:1)确定旋转角度和级数;2)计算电子转弯半径、角度;3)在沟道截止层上绘制两个同心圆环;4)绘制旋转等角度的射线;5)产生间隙的图形;6)得到所需的拐角单元。用户可在Virtuoso软件中根据这一方法,结合Virtuoso自带的图形处理工具,画出任意级数的拐角单元,形成0度到360度的任意角度的扇形图形,图形中不同层次所占的面积可按比例分配。
技术领域
本发明涉及EDA设计领域,尤其涉及一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法。
背景技术
Virtuoso(集成电路设计软件)是Cadence(某EDA软件供应商)推出的电路、版图设计工具。版图设计人员可以充分利用此工具,依托各工艺厂商提供的工艺库完成各种版图设计。在EMCCD(电子倍增电荷耦合器件)版图设计中,为了让电子的流动实现转向,需要拐角单元,单元内的多晶硅栅电极的有效面积要足够大,使电荷容量大于某个值;且根据工艺要求,内角的多晶硅宽度也要大于某个值;每一级的多晶硅宽度要一致。由于Virtuoso软件的局限性,画有特殊要求的任意角度的图形不方便,只能通过先画圆再剪切的方法,该方法绘制出的每一级图形没法做到一致,且每一级的大小无法控制,在版图画好后,若后期需要修改,会出现牵一发动全身的情况,特别费时间。
发明内容
针对上述问题,本发明提出了一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,用户可在Virtuoso根据这一方法,结合Virtuoso自带的图形处理工具,画出任意级数的拐角单元,形成0度到360度的任意角度的扇形图形,图形中不同层次所占的面积可按比例分配。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
一种IC版图设计中任意角度图形的生成方法,包括以下步骤:
1)确定旋转角度和级数
根据版图和工艺的实际要求,确定电子需要旋转的角度及电子需要流过的级数;
2)计算电子转弯半径、角度
计算版图上供电子转弯的扇形的内、外半径R1和R2,根据步骤1)的级数,确定每层多晶硅射线的根数,为级数加一;对不同的多晶硅,确定射线旋转的角度,是每级的中环线长度除以(R1+R2)/2,与步骤1)中的电子需要旋转的角度是局部和总体的关系;
3)绘制两个同心圆环
在沟道截止层上绘制两个同心圆环;
4)绘制旋转等角度的射线
根据工艺要求确定射线的宽度,结合步骤2)获得的射线旋转的角度,绘制出版图中多晶硅的重叠部分;
5)产生间隙的图形
添加一些辅助层次,与射线做与非操作,得到间隙的图形,修改这些间隙的图形的属性,得到每一级的图形;
6)得到所需的拐角单元
对间隙的图形剪切,将内、外圆环多余的多晶硅删除,得到所需要的拐角单元。
进一步地,步骤1)中,级数根据电子转向时电子在中环线上所走的距离除以每一级的宽度确定。
进一步地,步骤4)绘制旋转等角度的射线,具体步骤为:
(1)调用程序生成的工具框:在Virtuoso的版图界面菜单中,选择EMCCD_TOOL 下拉菜单,在弹出的创建射线的用户输入菜单中输入参数;
(2)自动生成从原点发出的具有一设定宽度的角度均匀的射线。
进一步地,步骤(1)中输入的参数包括:在180度的范围内需要画的射线的根数、射线的宽度、射线的长度、起始坐标和需要旋转的角度。
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