[发明专利]一种掩膜版的缺陷修复方法

说明书

本发明涉及一种掩膜版的缺陷修复方法，提供掩膜版；于显微镜下寻找所述掩膜版上的缺陷，再在缺陷周围形成非水溶性涂料圈；向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加水系去胶液，去除非水溶性涂料圈所围区域的光刻胶，然后去除非水溶性涂料圈内的水系去胶液；向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加铬腐蚀液，修复缺陷；将修复缺陷后的掩膜版置于去胶液中去除版面的光刻胶；去除版面的非水溶性涂料圈；对掩膜版进行清洗，获得修复后的掩膜版。本发明的修复方法，无需二次匀胶光刻去除缺陷，在检验缺陷的同时用非水溶性涂料圈出缺陷，将所有缺陷标识出，同时去胶后去残铬，该方法简单易操作，降低掩膜版的制造成本，提高良率及利用率，提高经济效益。

技术领域

本发明涉及一种掩膜版的缺陷修复方法，属于半导体领域。

背景技术

在半导体领域中，采用光刻技术可以实现图形复制以及转移从而获得特定设计要求的产品。在掩膜版制造过程中，因环境洁净度或待曝光的基片在镀膜或者涂胶工艺产生的不良，导致图形在复制过程中出现针孔、残铬（铬点缺陷）等缺陷。

针对图形在复制过程中出现的缺陷，现有技术主要采用的修复技术包括：

一、聚焦离子束来修复掩膜版上的铬缺陷，然而针对大面积缺陷，聚焦离子束修复技术也无法满足修复要求，导致产品报废。

二、采用多次光刻去除一次光刻形成的缺陷，多次光刻要求设备满足精准对位，并且需要多次重复工序，成本较高。

三、一次光刻形成的缺陷，将掩膜版清洗处理后再其表面二次涂覆光刻胶，采用显微镜定位缺陷，利用显微镜白光曝光定位区域，再喷腐蚀液，以此修复缺陷。该方法采用显微镜聚焦曝光，曝光时间长并且曝光区域受限于显微镜的物镜范围，曝光区域不可控，该方法效率较低。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种简单易操作的掩膜版的缺陷修复方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：

一种掩膜版的缺陷修复方法，包括如下步骤：

S1、提供掩膜版；

其中，所述掩膜版由匀胶铬版经曝光、显影、刻蚀后获得，所述掩膜版未经过去胶处理；

S2、于显微镜下寻找所述掩膜版上的缺陷，再在缺陷周围形成非水溶性涂料圈；

S3、向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加水系去胶液，去除非水溶性涂料圈所围区域的光刻胶，然后去除非水溶性涂料圈内的水系去胶液；

S4、向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加铬腐蚀液，修复缺陷；

S5、将修复缺陷后的掩膜版置于去胶液中去除版面的光刻胶；

去除版面的非水溶性涂料圈；

S6、对S5处理后的掩膜版进行清洗，获得修复后的掩膜版。

进一步地，S2中，所述显微镜为光学显微镜。

进一步地，S2中，所述缺陷为铬点缺陷。

进一步地，S2中，使用笔将缺陷圈起来，形成非水溶性涂料圈；所述笔为油性笔、油漆笔中的一种。即用笔在缺陷周围划出圈状横。可选地，所述油性笔为马克笔。

进一步地，S3中，所述水系去胶液为浓度为3-8wt%的碱液。

一般的，S3中，向所述非水溶性涂料圈所围成的区域滴加1-3滴水系去胶液，即可，具体可根据缺陷大小确定。

可选地，所述铬腐蚀液由700g的硝酸铈铵、122.5ml冰醋酸、去离子水3500ml配制而成。