[发明专利]激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片

权利要求书

1.一种激光检测单元电路，其特征在于，所述激光检测单元电路包括：光敏器件、通路开关器件和反相器件，所述光敏器件为MOS管；所述通路开关器件的第一端与第一电压端连接，所述通路开关器件的第二端与所述通路开关器件的第三端连接，所述通路开关器件的第三端与所述光敏器件的第一端连接，所述光敏器件的第二端与所述光敏器件的第三端连接，所述光敏器件的第三端与第二电压端连接，所述反相器件的输入端与所述光敏器件的第一端连接；

其中，所述光敏器件在感应到激光照射的情况下，所述光敏器件的第一端与所述光敏器件的第三端的导通状态发生变化，且所述光敏器件的第一端的电压发生高低转换，以使所述反相器件输出第一报警信号。

2.根据权利要求1所述的激光检测单元电路，其特征在于，所述光敏器件为NMOS管，所述通路开关器件为PMOS管。

3.根据权利要求2所述的激光检测单元电路，其特征在于，所述PMOS管的导电沟道的长度值大于所述导电沟道的宽度值。

4.根据权利要求3所述的激光检测单元电路，其特征在于，所述PMOS管的导电沟通的长度值处于预设范围之内，且与激光攻击的光斑直径匹配。

5.根据权利要求2所述的激光检测单元电路，其特征在于，所述NMOS管的漏极区域面积大于预设阈值。

6.根据权利要求2所述的激光检测单元电路，其特征在于，所述PMOS管的第一端为源极，所述PMOS管的第二端为栅极，所述PMOS管的第三端为漏极，所述PMOS管的源极与电源端连接；

所述NMOS管的第一端为漏极，所述NMOS管的第二端为栅极，所述NMOS管的第三端为源极，所述NMOS管的源极与地端连接。

7.根据权利要求1所述的激光检测单元电路，其特征在于，所述反相器件为反相放大器、数字锁存器、缓冲器或模拟比较器。

8.一种激光检测集成电路，其特征在于，所述激光检测集成电路中包括N个如权利要求1至7中任一项所述的激光检测单元电路，其中，N为大于1的整数。

9.根据权利要求8所述的激光检测集成电路，其特征在于，所述激光检测集成电路还包括M个或非门器件和一个与门器件，其中，M为大于或等于N除以2之后获得的正整数；

N个激光检测单元电路中每两个激光检测单元电路的输出端与所述M个或非门器件中的一个或非门器件的两个输入端一一对应地连接，所述M个或非门器件的输出端与所述与门器件的M个输入端一一对应地连接。

10.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括如权利要求8至9中任一项所述的激光检测集成电路。