[发明专利]激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片

说明书

本发明提供一种激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片。包括：光敏器件、通路开关器件和反相器件，光敏器件为MOS管；通路开关器件的第一端与第一电压端连接，通路开关器件的第二端与所述通路开关器件的第三端连接，通路开关器件的第三端与光敏器件的第一端连接，光敏器件的第二端与光敏器件的第三端连接，光敏器件的第三端与第二电压端连接，反相器件的输入端与光敏器件的第一端连接；其中，光敏器件在感应到激光照射的情况下，光敏器件的第一端与光敏器件的第三端的导通状态发生变化，且光敏器件的第一端的电压发生高低转换，以使反相器件输出第一报警信号。本发明实施例能够提高激光检测单元电路其自身的安全性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片。

背景技术

为了防止半导体芯片被激光攻击，需要在半导体芯片中布置检测电路，以实现半导体芯片被激光攻击的检测。

目前，通常是在半导体芯片中集成光敏器件，参见图1，图1是现有技术中用于在半导体芯片中检测其被激光攻击的检测电路结构示意图。如图1所示，Q1为晶体管，它是由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管(简称PNP三极管)，属于光敏器件。该检测电路中，在EN开关使能条件下，若激光照射在PNP三极管结构上，能够输出报警信号。

虽然上述检测电路能够实现半导体芯片被激光攻击的检测，但是，由于PNP三极管面积过大，不仅导致芯片面积大幅增加，且易被攻击，致其安全性较低。

发明内容

本发明实施例提供一种激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片，以解决现有的激光检测电路由于PNP三极管面积过大而导致的其本身安全性较低的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种激光检测单元电路，所述激光检测单元电路包括：光敏器件、通路开关器件和反相器件，所述光敏器件为MOS管；所述通路开关器件的第一端与第一电压端连接，所述通路开关器件的第二端与所述通路开关器件的第三端连接，所述通路开关器件的第三端与所述光敏器件的第一端连接，所述光敏器件的第二端与所述光敏器件的第三端连接，所述光敏器件的第三端与第二电压端连接，所述反相器件的输入端与所述光敏器件的第一端连接；

其中，所述光敏器件在感应到激光照射的情况下，所述光敏器件的第一端与所述光敏器件的第三端的导通状态发生变化，且所述光敏器件的第一端的电压发生高低转换，以使所述反相器件输出第一报警信号。

第二方面，本发明实施例还提供一种激光检测集成电路，所述激光检测集成电路中包括N个上述激光检测单元电路，其中，N为大于1的整数。

第三方面，本发明实施例还提供一种半导体芯片，所述半导体芯片包括上述激光检测集成电路。

本发明实施例中，所述激光检测单元电路中所述光敏器件为MOS管，相对于现有的激光检测电路，由于MOS管的面积较小，因此可以降低激光检测单元电路的面积，从而可以降低其本身被攻击的可能性，进而提高其自身的安全性。并且所述通路开关器件的第二端与所述通路开关器件的第三端连接，从而使得激光检测单元电路无需使能开关，这样，可以避免其被攻击的可能性，进一步提高激光检测单元电路的安全性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1是现有技术中用于在半导体芯片中检测其被激光攻击的检测电路结构示意图；

图2是本发明实施例提供的激光检测单元电路的结构示意图；

图3是P型衬底CMOS工艺下NMOS管的剖视图；