[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

基板；

外延层结构，设置在所述基板上且包括第一类型区域和第二类型区域；

第一电流阻挡层，设置在所述外延层结构上且位于所述第一类型区域；

第二电流阻挡层，设置在所述外延层结构上且位于所述第二类型区域；

电流扩散层，设置在所述外延层结构上且位于所述第一类型区域，其中所述电流扩散层覆盖所述第一电流阻挡层以使得所述第一电流阻挡层位于所述电流扩散层与所述外延层结构之间；

第一电极，设置在所述电流扩散层远离所述外延层结构的一侧、且与所述电流扩散层电性接触，其中所述第一电极为P型电极；

第二电极，设置在所述外延层结构上且位于所述第二类型区域，其中所述第二电流阻挡层位于所述第二电极与所述外延层结构之间，其中所述第二电极为N型电极；

其中，所述第一电极包括第一主体部和自所述第一主体部侧向延伸形成的第一长条形延伸部，所述第一电流阻挡层包括与所述第一主体部对应的第一主体阻挡部和与所述第一长条形延伸部对应的第一延伸阻挡部，所述第二电极包括第二主体部和自所述第二主体部侧向延伸形成的第二长条形延伸部，所述第二电流阻挡层包括与所述第二主体部对应的第二主体阻挡部和与所述第二长条形延伸部对应的第二延伸阻挡部，其中所述第二延伸阻挡部包括相互间隔的多个导电间隙；

其中，所述第一延伸阻挡部在邻近所述第二电极的一侧设置有多个第一凸起结构，所述多个第一凸起结构与所述多个导电间隙水平方向对齐排列。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第二延伸阻挡部包括相互间隔的多个延伸阻挡子部，其中相邻两个延伸阻挡子部之间形成一个所述导电间隙，所述多个第一凸起结构与所述多个延伸阻挡子部交错排列。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第二延伸阻挡部为一体结构，其中所述导电间隙为通孔。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一电极还包括自所述第一主体部侧向延伸形成的第三长条形延伸部，所述第三长条形延伸部与所述第一长条形延伸部位于所述第一主体部的相对两侧，其中所述第二长条形延伸部位于所述第一长条形延伸部和所述第三长条形延伸部之间。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一电流阻挡层还包括与所述第三长条形延伸部对应的第三延伸阻挡部；所述第三延伸阻挡部在邻近所述第二电极的一侧设置有多个第二凸起结构，所述多个第二凸起结构与所述多个导电间隙对齐排列。

6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，所述多个延伸阻挡子部等间距设置。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一凸起结构的宽度与所述多个延伸阻挡子部彼此之间的间距相同。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括：

附着增强层，设置在所述电流扩散层远离所述第一电流阻挡层的一侧，且包括多个通孔；其中所述第一电极设置在所述附着增强层远离所述电流扩散层的一侧、且延伸至所述多个通孔内以与所述电流扩散层电性接触。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一电极为金属复合层，其中所述金属复合层包括沿远离所述基板的方向依次堆叠的铝层和位于所述铝层上的多个金属层；其中所述铝层伸入所述多个通孔并与所述附着增强层和所述电流扩散层直接接触。

10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述附着增强层的材料为透明绝缘物质，其中所述附着增强层的透光率大于85％。