[发明专利]半导体发光器件

说明书

本发明公开一种半导体发光器件，包括：基板；外延层结构，设置在基板上；第一电流阻挡层设置在外延层结构上；第二电流阻挡层设置在外延层结构上；电流扩散层设置在外延层结构上且覆盖第一电流阻挡层；第一电极设置在电流扩散层远离外延层结构的一侧；第二电极设置在外延层结构上且覆盖第二电流阻挡层；第一电流阻挡层包括第一主体阻挡部和第一延伸阻挡部，第二电流阻挡层包括第二主体阻挡部和第二延伸阻挡部，第二延伸阻挡部包括多个导电间隙；第一延伸阻挡部设置有多个第一凸起结构，多个第一凸起结构与多个导电间隙对齐排列。本发明可以改善半导体发光器件的电流扩散，提高发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光器件。

背景技术

随着LED产业的不断发展，LED产品的性价比优势日趋凸显。现有的发光二极管(LED)在P型电极下方设置电流阻挡层以阻挡电流通过，即当电流由P型电极导入后，电流阻挡层可以阻隔电流通过，从而强迫电流绕过电流阻挡层，由透明导电层扩散出来，借以提升发光二极管的亮度。然而，现有的发光二极管结构存在电流过于集中的区域，导致发光二极管的亮度提升效果不佳。

发明内容

本发明提出了一种半导体发光器件，可以改善半导体发光器件的电流扩散，提高半导体发光器件例如发光二极管的发光效率。

具体地，本发明实施例提出的一种半导体发光器件，包括：基板；外延层结构，设置在所述基板上且包括第一类型区域和第二类型区域；第一电流阻挡层，设置在所述外延层结构上且位于所述第一类型区域；第二电流阻挡层，设置在所述外延层结构上且位于所述第二类型区域；电流扩散层，设置在所述外延层结构上且位于所述第一类型区域，其中所述电流扩散层覆盖所述第一电流阻挡层以使得所述第一电流阻挡层位于所述电流扩散层与所述外延层结构之间；第一电极，设置在所述电流扩散层远离所述外延层结构的一侧、且与所述电流扩散层电性接触；第二电极，设置在所述外延层结构上且位于所述第二类型区域，其中所述第二电流阻挡层位于所述第二电极与所述外延层结构之间；其中，所述第一电极包括第一主体部和自所述第一主体部侧向延伸形成的第一长条形延伸部，所述第一电流阻挡层包括与所述第一主体部对应的第一主体阻挡部和与所述第一长条形延伸部对应的第一延伸阻挡部，所述第二电极包括第二主体部和自所述第二主体部侧向延伸形成的第二长条形延伸部，所述第二电流阻挡层包括与所述第二主体部对应的第二主体阻挡部和与所述第二长条形延伸部对应的第二延伸阻挡部，其中所述第二延伸阻挡部包括相互间隔的多个导电间隙；其中，所述第一延伸阻挡部在邻近所述第二电极的一侧设置有多个第一凸起结构，所述多个第一凸起结构与所述多个导电间隙对齐排列。

在本发明的一个实施例中，所述第二延伸阻挡部包括相互间隔的多个延伸阻挡子部，其中相邻两个延伸阻挡子部之间形成一个所述导电间隙，所述多个第一凸起结构与所述多个延伸阻挡子部交错排列。

在本发明的一个实施例中，所述第二延伸阻挡部为一体结构，其中所述导电间隙为通孔。

在本发明的一个实施例中，所述第一电极还包括自所述第一主体部侧向延伸形成的第三长条形延伸部，所述第三长条形延伸部与所述第一长条形延伸部位于所述第一主体部的相对两侧，其中所述第二长条形延伸部位于所述第一长条形延伸部和所述第三长条形延伸部之间。

在本发明的一个实施例中，所述第一电流阻挡层还包括与所述第三长条形延伸部对应的第三延伸阻挡部；所述第三延伸阻挡部在邻近所述第二电极的一侧设置有多个第二凸起结构，所述多个第二凸起结构与所述多个导电间隙对齐排列。

在本发明的一个实施例中，所述多个延伸阻挡子部等间距设置。

在本发明的一个实施例中，所述第一凸起结构的宽度与所述多个延伸阻挡子部彼此之间的间距相同。

在本发明的一个实施例中，前述半导体发光器件还包括：附着增强层，设置在所述电流扩散层远离所述第一电流阻挡层的一侧，且包括多个通孔；其中所述第一电极设置在所述附着增强层远离所述电流扩散层的一侧、且延伸至所述多个通孔内以与所述电流扩散层电性接触。