[发明专利]采用高次模实现的E-band双工器

说明书

本发明实施例公开了一种采用高次模实现的E‑band双工器，属于通讯技术领域。该E‑band双工器包括：盖板和腔体，所述腔体内设有双工器主体；所述双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，所述第二端口传输信号的频率高于所述第一端口传输信号的频率；所述第一端口与所述公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且所述公共端口与所述第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔。本发明实施例可以明显降低对E‑band双工器的加工精度，提高良率；盖板和腔体之间可以不镀银不焊接，既可以降低成本，也不会影响E‑band双工器的性能，还可以避免加工两个对称的腔体，从而可以降低生产成本和生产难度。

技术领域

本发明实施例涉及通讯技术领域，特别涉及一种采用高次模实现的E-band双工器。

背景技术

E-band的工作频率高，频带很宽，频谱资源丰富，是5G通信的研究热点。E-band 5G通信基站的开发离不开工作于该频带的高性能的E-band双工器。

相关技术中，可以采用TE10模实现E-band双工器。由于采用TE10模实现的E-band双工器的工作频率在80G赫兹，频率很高，尺寸很小，几乎不可以调试，因此，该E-band双工器的精度要求非常高。另外，若将该E-band双工器从H面剖开，则必须焊接，需要镀银；若将该E-band双工器从E面剖开，则不需要焊接，但是需要加工两个对称的腔体。

由于采用TE10模实现E-band双工器的精度要求非常高，所以，导致E-band双工器的良率比较低。另外，若需要镀银，则会增加成本，且镀银的厚度会影响E-band双工器的性能；若需要加工两个对称的腔体，则会增加一倍的加工成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种采用高次模实现的E-band双工器，用于解决现有技术中的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种采用高次模实现的E-band双工器，所述E-band双工器包括：

盖板和腔体，所述腔体内设有双工器主体；

所述双工器主体包括第一端口、公共端口和第二端口，所述第二端口传输信号的频率高于所述第一端口传输信号的频率；

所述第一端口与所述公共端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔，且所述公共端口与所述第二端口之间排列的谐振腔为高次模谐振腔。

在一种可能的实现方式中，全部谐振腔都是二次模谐振腔；或者，全部谐振腔都是三次模谐振腔；或者，部分谐振腔是二次模谐振腔，剩余谐振腔是三次模谐振腔。

在一种可能的实现方式中，所述第一端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上设置有零腔结构，所述第二端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上设置有零腔结构。

在一种可能的实现方式中，所述零腔结构为位于所述目标谐振腔的上表面的凸出结构。

在一种可能的实现方式中，若设置有所述零腔结构的目标谐振腔为二次模谐振腔，则所述零腔结构设置在所述目标谐振腔的边缘位置；若设置有所述零腔结构的目标谐振腔为三次模谐振腔，则所述零腔结构设置在所述目标谐振腔的中间位置。

在一种可能的实现方式中，若所述零腔结构设置在所述第一端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上，则所述零腔结构的尺寸的大小与第一距离的大小呈正相关关系，所述第一距离为所述目标谐振腔距离所述公共端口的距离。

在一种可能的实现方式中，若所述零腔结构设置在所述第二端口与所述公共端口之间的一个目标谐振腔上，则所述零腔结构的尺寸的大小与第二距离的大小呈正相关关系，所述第二距离为所述目标谐振腔距离所述第二端口的距离。

在一种可能的实现方式中，位于所述第一端口与所述公共端口之间，且与所述公共端口相邻的谐振器组用于消除寄生谐振，所述谐振器组中包含一个谐振器或相邻的多个谐振器。