[发明专利]半导体测试结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区均被限定在衬底中并被隔离结构隔离，所述第一有源区和所述第二有源区均呈梳状结构且交错设置，所述梳状结构包括柄部和齿部，所述齿部呈U形且开口面向所述柄部；

第一接触接点和第二接触接点，分别设置在所述第一有源区和所述第二有源区梳状结构的柄部，且所述第一接触接点和所述第二接触接点对应同一所述第一有源区或所述第二有源区梳状结构的齿部，其中，所述半导体测试结构用于NAND存储器存储单元阵列中有源区之间的隔离测试。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述梳状结构的柄部为N+掺杂区。

3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一有源区和所述第二有源区梳状结构的齿部的宽度和长度均相等。

4.一种半导体测试结构的制作方法，其特征在于，所述半导体测试结构用于NAND存储器存储单元阵列中有源区之间的隔离测试，所述制作方法包括：

提供衬底，并在所述衬底上形成核心图案，所述核心图案呈条状交错排列；

在所述衬底上形成包围所述核心图案的侧墙，所述侧墙均呈环状交错排列；

去除所述核心图案；

在所述侧墙远离所述交错区域的一侧形成掩膜层；

以所述掩膜层及所述侧墙为掩模，刻蚀所述衬底形成隔离结构以定义出交错设置的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区均呈梳状结构，所述梳状结构包括柄部和齿部，所述齿部呈U状且开口面向所述柄部；以及

在所述第一有源区和所述第二有源区梳状结构的柄部分别形成第一接触接点和第二接触接点，且所述第一接触接点和所述第二接触接点对应同一所述第一有源区或所述第二有源区梳状结构的齿部。

5.根据权利要求4所述的半导体测试结构的制作方法，其特征在于，形成所述隔离结构之后，形成所述第一接触接点和所述第二接触接点之前，还包括：

去除所述掩膜层和所述侧墙；

对所述第一有源区和所述第二有源区的柄部进行离子注入。

6.根据权利要求4所述的半导体测试结构的制作方法，其特征在于，所述核心图案的材料为氧化硅、氮化硅或者多晶硅。

7.根据权利要求4所述的半导体测试结构的制作方法，其特征在于，采用湿法工艺去除所述核心图案。

8.根据权利要求4所述的半导体测试结构的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅，氮化硅或者多晶硅，但与所述核心图案的材料不同。

9.根据权利要求4所述的半导体测试结构的制作方法，其特征在于，所述侧墙采用低压化学气相沉积或者低温原子层沉积的方式沉积形成。

10.根据权利要求4所述的半导体测试结构的制作方法，其特征在于，所述侧墙的宽度与所述第一有源区或所述第二有源区齿部垂直于柄部的条状部分的宽度相等。