[发明专利]一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法

说明书

本发明属于半导体晶圆处理技术，更具体地，本发明涉及一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法。一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80‑120份、光引发剂1‑7份、交联剂2‑10份。本发明提供了一种易于拾取的晶圆切割膜，可以提高加工器件的拾取性能，又不会造成初粘力与剥离强度较低，不容易出现脱落，可以实现在切割过程中提高切割膜的粘着力，同时在捡取的过程中降低切割膜的粘着力，可以获得高扩张性、低颈缩且操作性良好的切割膜可以提高切割过程中提高切割膜的粘着力，同时避免切割过程中崩裂，可减少晶片的污染。

技术领域

本发明属于半导体晶圆处理技术，更具体地，本发明涉及一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法。

背景技术

半导体晶片或基板在贴合切割胶带后将经历分割(切割)成元件小片、切割胶带的延伸(扩展)、将元件小片从切割胶带剥离(拾取，即pick up)等各工序。将硅晶片贴附于粘着膜上并将硅晶片切断成小片状，对粘着膜在纵横方向上均进行拉伸，扩大元件的间隔而进行拾取。对于切割用扩张性基材，要求在拉伸时不引起颈缩(necking)而整体均匀地伸长，若产生颈缩，则容易产生以下问题：仅膜的周边部伸长，膜的中心部并不充分伸长，中央部的元件不进行单片化。扩张性不充分，膜拉伸时容易断裂，在扩张时可能会导致晶片的破损。

切割工艺包括：使用切割刀片来切割半导体晶圆的步骤，半导体晶圆的基底膜，并拾取通过半导体晶圆的切割而分离的单个晶片的步骤，但是存在以下问题：因为在拾取过程期间发生膜之间固定，和因膜之间的剥离(peel)强度过大而在拾取期间拾取晶片的成功率被降低或者在拾取过程中产生晶片裂纹的问题。

对于这些工序中使用的切割胶带，期望对切割工序中形成的元件小片(芯片) 具有充分的粘合力，同时在拾取工序时粘合力减小至不产生残胶的程度。由于半导体晶圆厚度薄，当粘合层和粘合层分离时施加过大的力的情况下，薄型化的晶片会受损且拾取能力会降低。然而，根据切割膜、切割晶片粘合膜、半导体晶圆的切割方法，可改善拾取能力，从而可以顺利地进行拾取工艺，并可防止薄型化的半导体晶片的受损。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明第一个方面提供了一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80-120 份、光引发剂1-7份、交联剂2-10份。

作为本发明的一种优选技术方案，所述基材膜选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的任一种。

作为本发明的一种优选技术方案，所述粘结树脂选自丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、烯烃共聚物中的一种或多种。

作为本发明的一种优选技术方案，所述丙烯酸酯类树脂为不含羟基的丙烯酸酯类单体与含羟基的丙烯酸酯类单体的共聚物。

作为本发明的一种优选技术方案，所述不含羟基的丙烯酸酯类单体为丙烯酸烷基酯；所述烷基碳原子数为C4-C8。

作为本发明的一种优选技术方案，所述含羟基的丙烯酸酯类单体选自(甲基) 丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙二醇酯中的一种或多种。

作为本发明的一种优选技术方案，所述烯烃共聚物为1-丁烯·α-烯烃共聚物；所述1-丁烯·α-烯烃共聚物中α-烯烃的摩尔含量不大于15％。

作为本发明的一种优选技术方案，所述光引发剂选自苯偶姻、苯偶酰衍生物、α-羟基酮衍生物、α-氨基酮衍生物、酰基膦氧化物、二苯甲酮及其衍生物、三芳基硫鎓盐、芳茂铁盐中的一种或多种。