[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 202010346174.9 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111613648B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 李文渊;黄泰翔;邱品翔;陈政翰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;B06B1/02;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
一种显示装置及其制造方法。显示装置包括第一基板、第二基板、多条第一信号线、多条第二信号线、第一绝缘层、多个有源元件、显示介质层以及多个超声波换能器。第一绝缘层位于第一信号线以及第二信号线之间。多个空腔位于第一绝缘层中。第一绝缘层具有位于空腔上的多个薄膜。各超声波换能器包括第一电极以及第二电极。第一电极与第一信号线中对应的一者属于同膜层且彼此电性连接。第二电极与第二信号线中对应的一者属于同膜层且彼此电性连接。第一与第二电极之间夹有空腔中对应的一者以及薄膜中对应的一者。
技术领域
本发明是有关于一种显示装置,且特别是有关于包括超声波换能器的显示装置及其制造方法。
背景技术
目前,指纹识别装置常被使用于个人用电子产品中。举例来说,手机以及平板电脑等电子产品都会附带指纹识别装置,以确保用户的个人隐私不会轻易泄漏。
在现有技术中,电容式触控感应装置或光学式指纹识别感应装置时常被结合至手机以及平板电脑等具有显示功能的显示装置中。然而,电容式触控感应装置会影响显示装置的穿透率,而光学式指纹识别感应装置则会影响显示装置的开口率,使显示装置的显示品质下降。
发明内容
本发明提供一种显示装置,可以减少超声波换能器对显示装置厚度所造成的影响。
本发明提供一种显示装置的制造方法,可以减少超声波换能器对显示装置厚度所造成的影响。
本发明的一实施例提供一种显示装置。显示装置包括第一基板、第二基板、多条第一信号线、多条第二信号线、第一绝缘层、多个有源元件、显示介质层以及多个超声波换能器。第一信号线以及第二信号线位于第一基板上。第一绝缘层位于第一信号线以及第二信号线之间。多个空腔位于第一绝缘层中。第一绝缘层具有位于空腔上的多个薄膜。有源元件电性连接第一信号线以及第二信号线。显示介质层位于第一基板与第二基板之间。超声波换能器位于第一基板与第二基板之间,其中各超声波换能器包括第一电极以及第二电极。第一电极与第一信号线中对应的一者属于同膜层且彼此电性连接。第二电极与第二信号线中对应的一者属于同膜层且彼此电性连接。第一电极与第二电极之间夹有空腔中对应的一者以及薄膜中对应的一者。
本发明的一实施例提供一种显示装置的制造方法,包括以下步骤:提供第一基板;形成第一导电层于第一基板上,其中第一导电层包括多条第一信号线以及连接第一信号线的多个第一电极;形成多个牺牲材料层于第一电极上;形成第一绝缘材料层以覆盖第一信号线、第一电极以及牺牲材料层;形成第二导电层于第一绝缘材料层上,其中第二导电层包括多条第二信号线以及连接第二信号线的多个第二电极;图案化第一绝缘材料层,以形成包括多个开口的第一绝缘层,其中开口暴露出牺牲材料层,且第一绝缘层具有位于牺牲材料层上的多个薄膜;移除牺牲材料层以于第一绝缘层中形成多个空腔,其中第一电极与第二电极之间夹有空腔以及薄膜;形成钝化层于第二导电层以及第一绝缘层上;形成显示介质层于钝化层上;以及覆盖第二基板于显示介质上。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A至图1I是依照本发明的一实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
图2是图1I的显示装置的上视示意图。
图3A是本发明一实施例的一种显示装置的上视示意图。
图3B是本发明一实施例的一种显示装置的信号波形图。
图3C是本发明一实施例的一种显示装置的信号波形图。
图4A至图4E是依照本发明的一实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图。
其中,附图标记:
10、20、30:显示装置
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的