[发明专利]一种显示装置及其制作方法在审
申请号: | 202010350045.7 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN113571545A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 唐兆兵;李富琳;乔明胜 | 申请(专利权)人: | 海信视像科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
地址: | 266555 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
衬底基板,具有承载作用;
发光器件,位于所述衬底基板之上,用于图像显示;
像素界定层,位于所述衬底基板上的所述发光器件的间隔位置;
所述像素界定层包括:
第一界定层,位于所述衬底基板之上;所述第一界定层包括用于限定发光器件的第一通孔;
第二界定层,位于所述第一界定层背离所述衬底基板一侧的表面;所述第二界定层包括用于限定发光器件的第二通孔;
所述第一通孔与所述第二通孔一一对应且位置相同;
所述第一通孔平行于所述衬底基板的截面面积沿着远离所述衬底基板的方向逐渐减小;所述第二通孔平行于所述衬底基板的截面面积沿着远离所述衬底基板的方向逐渐增大。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一通孔背离所述衬底基板一侧的开口尺寸与所述第二通孔靠近所述衬底基板一侧的开口尺寸相等。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一界定层的厚度小于所述第二界定层的厚度;
所述第一界定层的厚度为100nm-200nm;所述第二界定层的厚度为1μm-2μm。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一界定层和所述第二界定层均采用正性光刻胶;或者,
所述第一界定层和所述第二界定层均采用负性光刻胶;或者,
所述第一界定层采用正性光刻胶,所述第二界定层采用负性光刻胶;或者,
所述第一界定层采用负性光刻胶,所述第二界定层采用正性光刻胶。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述第一界定层采用水溶性聚合物光刻胶,所述第二界定层采用有机溶剂光刻胶。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示装置,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管或量子点发光二极管。
7.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成底电极的图形;
在所述底电极的间隔位置形成第一界定层,所述第一界定层包括用于暴露底电极的第一通孔;
在所述第一界定层上形成第二界定层,所述第二界定层包括用于暴露底电极的第二通孔;
在所述第一通孔和所述第二通孔的底电极上形成发光层;
在所述发光层及所述第二界定层上形成顶电极;
其中,所述第一通孔与所述第二通孔一一对应且位置相同;所述第一通孔平行于所述衬底基板的截面面积沿着远离所述衬底基板的方向逐渐减小;所述第二通孔平行于所述衬底基板的截面面积沿着远离所述衬底基板的方向逐渐增大。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述在所述底电极的间隔位置形成第一界定层,包括:
在所述底电极及所述衬底基板上形成第一正性光刻胶层;
在所述第一正性光刻胶层之上设置第一掩膜板,对所述第一掩膜板进行曝光;所述第一掩膜板的透光区域对应所述底电极所在位置,且所述第一掩膜板的透光区域设置有负透镜;
对曝光后的第一正性光刻胶层进行显影,形成包括所述第一通孔的第一界定层;
所述在所述第一界定层上形成第二界定层,包括:
在所述底电极及所述第一界定层上形成第二正性光刻胶层;
在所述第二正性光刻胶层之上设置第二掩膜板,对所述第二掩膜板进行曝光;所述第二掩膜板的透光区域对应所述底电极所在位置,且所述第二掩膜板的透光区域设置有正透镜;
对曝光后的第二正性光刻胶层进行显影,形成包括所述第二通孔的第二界定层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的