[发明专利]一种显示装置及其制作方法在审
申请号: | 202010350045.7 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN113571545A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 唐兆兵;李富琳;乔明胜 | 申请(专利权)人: | 海信视像科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
地址: | 266555 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种显示装置及其制作方法,显示装置包括:衬底基板、发光器件以及像素界定层;像素界定层包括叠层设置的第一界定层和第二界定层,第一界定层包括第一通孔,第二界定层包括第二通孔,第一通孔与第二通孔的位置相同且一一对应,第一通孔平行于衬底基板的截面面积沿着远离衬底基板的方向逐渐减小,有利于打印墨水在凹坑结构中的铺展,避免形成顶电极时,顶电极与裸露的底电极直接接触而造成器件短路。第二通孔平行于衬底基板的截面面积沿着远离衬底基板的方向逐渐增大,在形成顶电极时,可以避免第二界定层开口过锐所导致的顶电极断裂,从而可以避免形成顶电极时的开路问题,保证顶电极良好的导电性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)具有能耗低、响应速度快、视角宽、更轻薄且具有柔韧性等优点,是一种极具潜力的显示技术。
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,简称QLED)是将量子点作为发光层的制作材料,在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域广、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。
OLED和QLED具有相似的结构,在制作显示面板时需要形成用于限定像素所在区域的像素界定层,而目前为了配合效率较高的印刷工艺,通常将两个像素之间的像素界定层的截面图形设置为倒梯形,而这样的像素界定层结构在制备顶层金属电极时,很容易使得金属电极产生断裂,导致导电性差,甚至断路的问题。
发明内容
本发明一些实施例中,像素界定层包括叠层设置的第一界定层和第二界定层,第一界定层包括第一通孔,第二界定层包括第二通孔,第一通孔与第二通孔的位置相同且一一对应,第一通孔平行于衬底基板的截面面积沿着远离衬底基板的方向逐渐减小,第一界定层的截面呈现倒梯形结构,其侧壁向凹坑结构中倾斜,有利于打印墨水在凹坑结构中的铺展,使得凹坑结构的边缘位置均被打印墨水覆盖,避免裸露出底电极,从而可以避免形成顶电极时,顶电极与裸露的底电极直接接触而造成器件短路。第二通孔平行于衬底基板的截面面积沿着远离衬底基板的方向逐渐增大,第二界定层的截面呈现正梯形结构,其背离衬底基板一侧的开口边缘呈较缓的钝角结构,那么在形成顶电极时,可以避免第二界定层开口过锐所导致的顶电极断裂,从而可以避免形成顶电极时的开路问题,保证顶电极良好的导电性。
本发明一些实施例中,第一界定层的第一通孔背离衬底基板一侧的开口尺寸与第二界定层的第二通孔面向衬底基板一侧的尺寸相等,第一通孔与第二通孔相互连接,使得像素界定层限定出的子像素所在区域的截面沿着远离衬底基板的方向呈先减小再增大的趋势。
本发明一些实施例中,第一界定层131和第二界定层侧壁的倾角大于45°且小于70°,避免像素界定层的侧壁的倾斜角度过大占用子像素单元的开口面积。
本发明一些实施例中,第一界定层的厚度小于第二界定层的厚度,第一界定层131的厚度为100nm-200nm;第二界定层132的厚度为1μm-2μm。第二界定层的厚度相对较大,有利于将发光层或功能层的材料限定在通孔范围内。
本发明一些实施例中,第一界定层和第二界定层均可以采用光刻胶材料进行制作,采用光刻胶利用光刻胶的曝光刻蚀工艺制作像素界定层的图形。
本发明一些实施例中,第一界定层和第二界定层可以采用正性光刻胶进行制作,正性光刻胶的成本低,且在工艺精确度,如曝光时间和显影时间等的控制上更加宽松,工艺复杂程度低。
本发明一些实施例中,第一界定层和第二界定层可以采用负性光刻胶进行制作,负性光刻胶具有很好的热稳定和化学稳定性。
本发明一些实施例中,第一界定层和第二界定层采用互不相溶的光刻胶材料进行制作,可以避免制作第二界定层时对第一界定层产生影响。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的