[发明专利]一种横向高压器件

权利要求书

1.一种横向高压器件,其特征在于包括：P型衬底(1)、位于P型衬底(1)上方的N型外延层(2)、位于N型外延层(2)内左侧垂直设置的第一P型掺杂条(3)、位于N型外延层(2)内下方水平设置的第二P型掺杂条(4)、位于N型外延层(2)内右侧的垂直设置的第三P型掺杂条(5)、位于N型外延层(2)内中部的介质槽区(6)、位于N型外延层(2)内左上方的P型阱区(8)、位于P型阱区(8)内左侧的第一P型重掺杂区(10)、位于第一P型重掺杂区(10)右侧的第一N型重掺杂区(9)、位于N型外延层(2)内右上方的第二N型重掺杂区(11)，第一P型掺杂条(3)与P型阱区(8)之间存在间隔，第二P型掺杂条(4)位于第一P型掺杂条(3)和第三P型掺杂条(5)之间，且第二P型掺杂条(4)的两侧分别与第一P型掺杂条(3)的底部和第三P型掺杂条(5)的底部相连接，第三P型掺杂条(5)与第二N型重掺杂区(11)相连接；P型阱区(8)和N型外延层(2)上方设有栅氧化层(13)，栅氧化层(13)上方为多晶硅栅极(14)，钝化层(15)位于栅氧化层(13)两侧；第一N型重掺杂区(9)与第一P型重掺杂区(10)通过金属短接形成金属阴极(12)；第二N型重掺杂区(11)通过金属短接形成金属阳极(16)。

2.一种横向高压器件，其特征在于包括：P型衬底(1)、位于P型衬底(1)上方的N型外延层(2)、位于N型外延层(2)内左侧垂直设置的第一P型掺杂条(3)、位于N型外延层(2)内下方水平设置的第二P型掺杂条(4)、位于N型外延层(2)内右侧的垂直设置的第三P型掺杂条(5)、位于N型外延层(2)内中部的介质槽区(6)、位于N型外延层(2)内左上方的P型阱区(8)、位于P型阱区(8)内左侧的第一N型重掺杂区(9)，位于第一N型重掺杂区(9)右侧的第一P型重掺杂区(10)、位于N型外延层(2)内右上方的第二N型重掺杂区(11)、第一P型掺杂条(3)与P型阱区(8)存在间隔，第二P型掺杂条(4)位于第一P型掺杂条(3)和第三P型掺杂条(5)之间，且第二P型掺杂条(4)的两侧分别与第一P型掺杂条(3)的底部和第三P型掺杂条(5)的底部相连接，第三P型掺杂条(5)与第二N型重掺杂区(11)相连接；P型阱区(8)左侧设有栅氧化层(13)和被栅氧化层(13)包围的多晶硅栅极(14)；第一N型重掺杂区(9)与第一P型重掺杂区(10)通过金属短接形成金属阴极(12)，钝化层(15)位于金属阴极(12)的两侧；第二N型重掺杂区(11)通过金属短接形成金属阳极(16)。

3.根据权利要求1或2所述的一种横向高压器件，其特征在于：第一P型掺杂条(3)的掺杂浓度高于第三P型掺杂条(5)。

4.根据权利要求1或2所述的一种横向高压器件，其特征在于：介质槽区(6)为梯形槽，其水平宽度随着垂直方向的长度的增加逐渐变小。

5.根据权利要求1或2所述的一种横向高压器件，其特征在于：介质槽区(6)由多个矩形槽区组成，至上而下分别为第一槽区(61)、第二槽区(62)、…、第n槽区(6n)，其中n大于等于2，且第一槽区(61)垂直方向的长度与P型阱区(8)垂直方向的长度相等，随着垂直方向的长度的增加，矩形槽区的水平宽度减小。

6.根据权利要求1或2所述的一种横向高压器件，其特征在于：介质槽区(6)由矩形形状的第一槽区(61)和梯形形状的第二槽区(62)组成；第一槽区(61)位于第二槽区(62)的上方，且第一槽区(61)垂直方向的长度与P型阱区(8)垂直方向的长度相等，第二槽区(62)的水平宽度随着垂直方向长度的增加逐渐减小。

7.根据权利要求1或2所述的一种横向高压器件，其特征在于：介质槽区(6)为梯形槽，从上到下分成多个不同介电常数的介质区，分别为第一介质区(71)、…、第n介质区(7n)，其中n大于等于2，且各介质区的介电常数从上到下依次提高。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的一种横向高压器件，其特征在于：将第二N型重掺杂区(11)的位置替换为第二P型重掺杂区(17)，所述器件由LDMOS器件变为LIGBT器件。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的一种横向高压器件，其特征在于：所述器件结构中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时，N型掺杂变为P型掺杂。