[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成有源层，所述有源层包括源极区域和漏极区域；

在所述有源层上依次形成层间绝缘层和像素电极层；

图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述像素电极层形成像素电极，在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；

在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极，所述漏极设置在所述第一过孔内，所述源极设置在所述第二过孔内并延伸入所述第一凹槽；

在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽的步骤，包括：

在所述像素电极层上形成第一光阻层；

采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻，图案化的所述第一光阻包括第一部分、第二部分、第三部分和通孔，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的厚度递减，所述通孔裸露出所述像素电极层且对应于所述漏极区域和所述源极区域的部分；

对所述像素电极层和所述层间绝缘层位于所述漏极区域和所述源极区域的部分进行刻蚀，以分别形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔均裸露出所述层间绝缘层；

对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分；

对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半色调光罩包括第一透光部、第二透光部、第三透光部和第四透光部，所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部的透过率递增；

所述采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻的步骤，包括：

将所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部一一对应于待形成的所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述通孔；

对所述第一光阻层进行曝光，以形成所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述通孔。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽的步骤之后，还包括：

对所述第一灰化处理后的所述第一光阻进行第二灰化处理，以除去所述第一减薄后的所述第二部分并得到第二减薄后的所述第一部分；

以所述第二减薄后的所述第一部分为掩膜，对所述像素电极层的裸露部分进行刻蚀处理，以形成所述像素电极；

除去所述第二减薄后的所述第一部分。

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分的步骤，包括：

对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分和对应于待形成的第二凹槽的部分；

所述对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽的步骤，包括：

对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分和位于待形成的所述第二凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔、所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽间隔设置，且所述第二凹槽裸露出所述层间绝缘层。