[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成有源层、层间绝缘层、像素电极层、源漏金属层、钝化层和公共电极层，有源层包括源极区域和漏极区域；其中，图案化层间绝缘层和像素电极层，以在像素电极层形成像素电极，在层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，第一过孔裸露出漏极区域，第二过孔裸露出源极区域，第一凹槽与第二过孔连通设置；图案化源漏金属层以形成源极和漏极，漏极设置在第一过孔内，源极设置在第二过孔内并延伸入第一凹槽。本申请减少了阵列基板制作时所需要的光罩数量，从而降低了工艺成本，增加了产品的产能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器具有耗电量小、对比度高、节省空间等优点，已成为市场上最主流的显示装置。与传统的非晶硅阵列技术相比，低温多晶硅技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的薄膜晶体管液晶显示面板和有机发光二极管显示面板的制作。

目前，在低温多晶硅阵列技术中，阵列基板制作时所需的光罩数量较多，产品制作周期长，从而在增加工艺成本的同时，降低了产品的产能。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，以解决阵列基板制作时所需的光罩数量较多的技术问题。

本申请提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成有源层，所述有源层包括源极区域和漏极区域；

在所述有源层上依次形成层间绝缘层和像素电极层；

图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述像素电极层形成像素电极，在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；

在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极，所述漏极设置在所述第一过孔内，所述源极设置在所述第二过孔内并延伸入所述第一凹槽；

在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层。

在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽的步骤，包括：

在所述像素电极层上形成第一光阻层；

采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻，图案化的所述第一光阻包括第一部分、第二部分、第三部分和通孔，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的厚度递减，所述通孔裸露出所述像素电极层且对应于所述漏极区域和所述源极区域的部分；

对所述像素电极层和所述层间绝缘层位于所述漏极区域和所述源极区域的部分进行刻蚀，以分别形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔均裸露出所述层间绝缘层；

对图案化的所述第一光阻进行第一灰化处理，以除去所述第三部分并得到第一减薄后的所述第一部分和所述第二部分，且裸露出所述像素电极层对应于待形成的所述第一凹槽的部分；

对所述层间绝缘层的裸露部分以及所述像素电极层和所述层间绝缘层位于待形成的所述第一凹槽的部分进行刻蚀，以形成所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一凹槽。

在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述半色调光罩包括第一透光部、第二透光部、第三透光部和第四透光部，所述第一透光部、所述第二透光部、所述第三透光部和所述第四透光部的透过率递增；

所述采用半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成图案化的第一光阻的步骤，包括：