[发明专利]嵌入式闪存失效的筛选方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，包括：

提供嵌入式闪存；在片擦除操作的数据擦除模式下，通过监控嵌入式闪存的控栅端的电压值变化，判断嵌入式闪存是否失效；当控栅端的电压值大于参考值时，判断嵌入式闪存的位线与控栅之间存在虛短路现象，以判定嵌入式闪存失效。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，当控栅端的电压值等于参考值时，判断嵌入式闪存的位线与控栅之间不存在虛短路现象，以判断嵌入式闪存有效。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，通过控制器监控所述嵌入式闪存的控栅端的电压值。

4.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，通过电学性能测试的板卡监控嵌入式闪存的控栅端的电压值变化，然后将监控的电压值与板卡中预设的所述参考值进行比较，以判断嵌入式闪存是否失效。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，所述参考值为预设的某一点值或者某一范围值。

6.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，所述参考值通过在相同数据擦除模式下监控多个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值进行确定，当多个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值至少两个以上相同时，确定为参考值。

7.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，所述参考值通过在相同数据擦除模式下监控两个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值进行确定，当两个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值不相同时，确定控栅端的电压值较小的嵌入式闪存为参考值。

8.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，所述数据擦除模式是对嵌入式闪存的位地址执行数据擦除。

9.如权利要求8所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，所述位地址包括位地址、列位地址或者扇区的位地址。

10.如权利要求1所述的嵌入式闪存失效的筛选方法，其特征在于，所述嵌入式闪存包括若干存储单元阵列，每个所述存储单元阵列包括基底，以及位于基底上的第一浮栅、第二浮栅、第一控栅、第二控栅、第一位线、第二位线和字线。