[发明专利]嵌入式闪存失效的筛选方法

说明书

本发明提供一种嵌入式闪存失效的筛选方法，包括提供嵌入式闪存；在片擦除操作的数据擦除模式下，通过监控嵌入式闪存的控栅端的电压值变化，判断嵌入式闪存是否失效；当控栅端的电压值大于参考值时，判断嵌入式闪存的位线与控栅之间存在虚短路现象，以判定嵌入式闪存失效；当控栅端的电压值等于参考值时，判断嵌入式闪存的位线与控栅之间不存在虚短路现象，以判断嵌入式闪存有效。本发明能够快速检测嵌入式闪存是否失效，判断周期短，提高了筛选效率。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种嵌入式闪存失效的筛选方法。

背景技术

在半导体集成电路器件的制造工艺中，在制造完成半导体器件之后，需要对其器件进行测试，以判断器件是否失效。请参考图1，嵌入式闪存器件包括若干存储单元阵列，每个存储单元阵列包括基底100，以及位于基底100上的第一浮栅FG0、第二浮栅FG1、第一控栅CG0、第二控栅CG1、第一位线BL0、第二位线BL1和字线WL。在嵌入式闪存器件制造完成之后，需要对其进行失效性测试。请参考图2，位线与右侧的存储单元阵列中的第一控栅CG0存在虛短路现象；请参考图3，位线与左侧的存储单元阵列中的第二控栅CG1存在虛短路现象；其中虛短路现象，是指位线与控栅的距离靠近的比近，但又没有连接在一起，即位线与控栅之间不接触而导致的短路风险。则嵌入式闪存器件由于存储单元阵列中的位线与控栅之间的短路而导致失效。因此需要将这些失效的嵌入式闪存器件筛选出来。传统的嵌入式闪存器件失效的筛选方法是：在特定条件(例如SEO压力模式或者本领域的公知条件)下，对某一位、二位或者某一列的位地址进行编程和擦除，首先对嵌入式闪存的位地址执行数据编程模式，即对嵌入式闪存器件的位地址编程一次；然后对嵌入式闪存的位地址执行数据擦除模式，即对嵌入式闪存器件的位地址擦除一次。以对嵌入式闪存的1位地址执行数据编程模式和数据擦除模式为例进行说明，在数据编程模式执行数据为00时的编程周期为6s；在数据擦除模式执行数据为FF的擦除周期为1s，从而导致筛选失效嵌入式闪存器件的判断周期长。

发明内容

本发明的目的在于，提供了一种嵌入式闪存失效的筛选方法，以快速检测嵌入式闪存是否失效。

为达到上述目的，本发明提供一种嵌入式闪存失效的筛选方法，包括提供嵌入式闪存；在片擦除操作的数据擦除模式下，通过监控嵌入式闪存的控栅端的电压值变化，判断嵌入式闪存是否失效；当控栅端的电压值大于参考值时，判断嵌入式闪存的位线与控栅之间存在虛短路现象，以判定嵌入式闪存失效。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，当控栅端的电压值等于参考值时，判断嵌入式闪存的位线与控栅之间不存在虛短路现象，以判断嵌入式闪存有效。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，通过控制器监控所述嵌入式闪存的控栅端的电压值。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，通过电学性能测试的板卡监控嵌入式闪存的控栅端的电压值变化，然后将监控的电压值与板卡中预设的所述参考值进行比较，以判断嵌入式闪存是否失效。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，所述参考值为预设的某一点值或者某一范围值。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，所述参考值通过在相同数据擦除模式下监控多个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值进行确定，当多个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值至少两个以上相同时，确定为参考值。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，所述参考值通过在相同数据擦除模式下监控两个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值进行确定，当两个所述嵌入式闪存的控栅端的电压值不相同时，确定控栅端的电压值较小的嵌入式闪存为参考值。

进一步的，本发明提供的嵌入式闪存失效的筛选方法，所述数据擦除模式是对嵌入式闪存的位地址执行数据擦除。