[发明专利]降低高压互连影响的器件结构及制造方法

权利要求书

1.一种降低高压互连影响的器件结构，其特征在于：包括非高压互连区和高压互连区：

非高压互连区包括第二型掺杂杂质衬底（7）、在第二型掺杂杂质衬底（7）上形成的埋氧化层（6），在埋氧化层（6）上形成第一型掺杂杂质外延层（5），在第一型掺杂杂质外延层（5）左侧通过离子注入形成第二型掺杂杂质阱区（3），置于第二型掺杂杂质阱区（3）内部表面重掺杂的第一型掺杂杂质接触区（1）及第一型掺杂杂质接触区（1）相邻的第二型掺杂杂质接触区（2），在第一型掺杂杂质外延层（5）的右侧通过离子注入形成的第一型掺杂杂质阱区（4），置于第一型掺杂杂质阱区（4）内部表面重掺杂的第一型掺杂杂质接触区（1），第一型掺杂杂质外延层（5）表面的场氧化层（12）；场氧化层（12）左侧的半导体器件表面为栅氧化层（11），栅氧化层（11）覆盖第二型掺杂杂质阱区（3）右侧表面，并覆盖部分置于第二型掺杂杂质阱区（3）内部表面重掺杂的第一型掺杂杂质接触区（1）及第一型掺杂杂质外延层（5）表面；栅电极（10）置于栅氧化层（11）之上且覆盖部分场氧化层（12），源电极（8）位于第二型掺杂杂质阱区（3）中的第一型掺杂杂质接触区（1）和第二型掺杂杂质接触区（2）表面的上方，并将第一型掺杂杂质接触区（1）和第二型掺杂杂质接触区（2）短接；漏电极（9）位于第一型掺杂杂质阱区（4）内的第一型掺杂杂质接触区（1）的表面；

高压互连区结构包括第二型掺杂杂质衬底（7）、第二型掺杂杂质衬底（7）上形成的埋氧化层（6），在埋氧化层（6）上的第一型掺杂杂质外延层（5），在第一型掺杂杂质外延层（5）左侧通过离子注入形成第二型掺杂杂质阱区（3），置于第二型掺杂杂质阱区（3）内部表面重掺杂的第二型掺杂杂质接触区（2），在第一型掺杂杂质外延层（5）的右侧通过离子注入形成的第一型掺杂杂质阱区（4），置于第一型掺杂杂质阱区（4）内部表面重掺杂的第一型掺杂杂质接触区（1），第一型掺杂杂质外延层（5）表面的的场氧化层（12）以及通过淀积形成的淀积氧化层（13）， 淀积氧化层（13）覆盖场氧化层（12）上方，并覆盖第二型掺杂杂质阱区（3）和部分第一型掺杂杂质外延层（5），栅电极（10）置于淀积氧化层（13）之上，漏电极（9）位于第一型掺杂杂质阱区（4）内的第一型掺杂杂质接触区（1）的表面，并且跨过器件表面；在场氧化层生长后，通过额外淀积氧化层、涂胶、曝光、显影、刻蚀工艺，去除非高压互连区的淀积氧化层，最后形成高压互连区的淀积氧化层（13），从而增加高压互连区氧化层厚度，优化器件表面电场分布，提高器件的击穿电压。

2.根据权利要求1所述的降低高压互连影响的器件结构，其特征在于：所述场氧化层（12）生长后，通过淀积、刻蚀氧化层的方法来提高高压互连线到器件表面的氧化层厚度，降低高压互连线对器件表面电场分布的影响，提高器件的击穿电压。

3.根据权利要求1所述的降低高压互连影响的器件结构，其特征在于：高压互连区的淀积氧化层（13）和场氧化层（12）是在不同的工艺步骤中形成的。

4.根据权利要求1所述的降低高压互连影响的器件结构，其特征在于：所述淀积氧化层（13）的材料为二氧化硅、或高K材料。

5.根据权利要求1所述的降低高压互连影响的器件结构，其特征在于：所述高压互连区的淀积氧化层（13）是通过淀积氧化层和光刻工艺形成的。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的降低高压互连影响的器件结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

第一步：在第二型掺杂杂质衬底（7）上形成埋氧化层（6）和第一型掺杂杂质外延层（5）；

第二步：通过离子注入形成第二型掺杂杂质阱区（3）和第一型掺杂杂质阱区（4）；

第三步：热氧化，形成场氧化层（12）；

第四步：淀积氧化层，涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶，形成高压互连区的淀积氧化层（13）；

第五步：形成栅氧化层（11）及栅电极（10）；

第六步：离子注入形成第一型掺杂杂质接触区（1）和第二型掺杂杂质接触区（2）；

第七步：刻孔，淀积金属，刻蚀，形成源电极（8）和漏电极（9）。