[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一主动区，位于一基底上并沿着一第一方向延伸；

一栅极结构，位于上述第一主动区上并沿着一第二方向延伸，其中上述第二方向垂直于上述第一方向；

一栅极切断特征，邻接于上述栅极结构的一端；以及

一通道隔离特征，沿着上述第二方向延伸并位于上述第一主动区与一第二主动区之间，

其中，上述栅极结构包括直接接触于上述栅极切断特征的一金属电极，

其中，上述通道隔离特征包括在沿上述第二方向延伸的侧壁上的一衬垫以及在上述侧壁之间的一介电填充层，

其中，上述栅极切断特征邻接上述通道隔离特征的一端，以及上述介电填充层是直接接触于上述栅极切断特征。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，上述栅极切断特征包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅、碳氧化硅或其组合。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，上述衬垫包括氧化硅，以及上述介电填充层包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅、碳氧化硅或其组合。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，上述第一主动区包括多个第一通道构件，其中上述第二主动区包括多个第二通道构件，其中上述通道隔离特征将上述第一通道构件与上述第二通道构件隔离。

5.一种半导体结构，包括：

一第一主动区，位于一基底上并沿着一第一方向延伸；

一第一栅极结构，位于上述第一主动区上并沿着一第二方向延伸，其中上述第二方向垂直于上述第一方向；

一栅极切断特征，邻接于上述第一栅极结构的一端；以及

一通道隔离特征，沿着上述第二方向延伸并位于一第二栅极结构与一第三栅极结构之间，

其中，上述通道隔离特征设置在上述第一主动区和沿着上述第一方向延伸的一第二主动区之间，

其中，上述第二栅极结构和上述第三栅极结构包括一栅极介电层，

其中，上述通道隔离特征包括位于侧壁上的一衬垫和被上述侧壁包围的一介电填充层，

其中，上述通道隔离特征的上述衬垫是直接接触于上述第二和第三栅极结构的上述栅极介电层。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中，上述栅极切断特征包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅、碳氧化硅或其组合，以及上述通道隔离特征包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅、碳氧化硅或其组合。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中，上述第一主动区包括多个第一通道构件，其中上述第二主动区包括多个第二通道构件，其中上述通道隔离特征将上述第一通道构件与上述第二通道构件隔离。

8.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供一半导体结构，其中上述半导体结构包括一第一主动区和在上述第一主动区上方的多个伪栅极结构；

形成一通道隔离特征，以将上述第一主动区分成一第一区段和一第二区段；

在形成上述通道隔离特征之后，去除上述伪栅极结构；

图样化上述第一主动区，以形成多个通道构件；

在上述半导体结构上形成多个栅极结构，以围绕上述通道构件；

蚀刻上述栅极结构，以形成一栅极切断开口；以及

在上述栅极切断开口中沉积一介电材料，以形成一栅极切断特征。

9.如权利要求8所述的形成半导体结构的方法，其中，上述第一主动区包括与多个锗层交错的多个硅层，其中上述第一主动区的图案化包括选择性地去除上述锗层。

10.如权利要求8所述的形成半导体结构的方法，其中，形成上述通道隔离特征包括：

回蚀与上述第一主动区平行的一第二主动区，以形成一通道隔离沟槽；

沉积一衬垫于上述通道隔离沟槽中；

沉积一介电填充层在设置在上述通道隔离沟槽中的上述衬垫上；以及

平坦化上述半导体结构的一顶表面，

其中上述第二主动区的凹陷操作包括在上述第二主动区下方凹陷的上述第一主动区。