[发明专利]一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法在审
| 申请号： | 202010358705.6 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111584365A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴立成;殷丽;杨小兵;张文敏;王传敏 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张辉 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 米勒 电容 vdmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)选取N型硅外延片，通过光刻、硼注入技术在硅外延片的正面形成有源区；
(2)在步骤(1)的有源区，通过光刻及刻蚀工艺形成栅极深槽，在栅极深槽的表面热氧化生长栅氧化层，然后为栅极深槽回填磷掺杂的多晶硅，形成多晶硅槽栅；
(3)在步骤(1)的有源区，通过光刻及刻蚀工艺形成屏蔽槽，所述屏蔽槽距栅极深槽边缘0.2μm～1.0μm，在屏蔽槽中热氧化生长栅氧化层，然后为屏蔽槽回填磷掺杂的多晶硅；
(4)在步骤(1)的有源区，通过磷注入及扩散工艺形成N+源区；
(5)在步骤(4)处理后的硅外延片正面淀积二氧化硅介质层，刻蚀二氧化硅形成接触孔，然后进行正面金属化、钝化、刻蚀PAD区、减薄，最后进行背面金属化工艺，完成VDMOS器件制造。
2.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(2)形成的栅极深槽的槽深为2μm～3μm，槽宽为0.5μm～1μm。
3.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中，栅氧化层的厚度为
4.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中屏蔽槽槽深为2μm～3μm，槽宽为0.5μm～1μm。
5.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(3)中，栅氧化层的厚度为
6.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：N+源区与屏蔽槽位于步骤(2)栅极深槽的两侧。
7.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(5)中，正面金属化是指在刻蚀完接触孔的硅片上蒸发一层金属，这层金属通过接触孔与N+源区接触，形成源极金属，通过接触孔与步骤(2)中的多晶硅接触，形成栅极金属。
8.根据权利要求1所述的一种低米勒电容槽栅VDMOS器件制造方法，其特征在于：所述步骤(5)中，背面金属化是指在硅外延片衬底面蒸发一层金属，形成漏极金属。
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