[发明专利]一种氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法及其在光阴极保护中的应用有效
| 申请号： | 202010359859.7 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111519228B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 姚超;左士祥;严向玉;李霞章;刘文杰;王灿;叶里祥;吴红叶 | 申请（专利权）人： | 江苏纳欧新材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C23F13/14;C01B32/184;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 211700 江苏省淮*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 石墨 复合材料 制备 方法 及其 阴极保护 中的 应用 | ||
1.一种氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于：
（1）以导电基质为衬底，铈盐溶液为电解液，氯化钾为辅助电解液，铵盐或六次甲基四胺为稳定剂，通过电沉积法于50~90℃，0.5~5.5mA/cm2的电流密度下电位沉积80~160min，在CeO2种子层上成核生长出CeO2纳米棒阵列，沉积结束后无需脱除基板，直接进行下一步操作；
（2）以GO为原料，SnCl2乙醇溶液为活化剂活化CeO2纳米棒阵列将Sn2+沉积于CeO2纳米棒阵列上，然后将其浸入GO水溶液中，在50~90℃搅拌0.5~3.5h，通过Sn2+将GO还原成rGO，同时Sn2+与rGO静电吸附，使得CeO2纳米棒阵列连接在石墨烯片上，以Na2SO4和去离子水冲洗，50~90℃真空干燥以获得氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料。
2.根据权利要求1所述氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于：所述衬底为Ti，ITO导电玻璃，FTO导电玻璃中的一种。
3.根据权利要求1所述氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于：所述铈盐为硝酸铈，硝酸铈铵，氯化铈中的一种；稳定剂为氯化铵，硝酸铵，醋酸铵溶液中的一种。
4.根据权利要求1所述氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于：所述电解液与稳定剂物质的量比为1:2~1:0.5。
5.根据权利要求1-4任一项所述方法制备的氧化铈纳米棒阵列/石墨烯复合材料在光阴极保护中的应用。
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