[发明专利]低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，包括石英衬底，石英衬底上设有蓝宝石衬底、p-InGaN衬底和n-ZnO:Ga微米线；p-InGaN上蒸镀有Ni/Au电极；n-ZnO:Ga微米线横跨在p-InGaN衬底和蓝宝石衬底上，其位于蓝宝石衬底的一端设有In电极。

2.根据权利要求1所述的一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，所述p-InGaN衬底的尺寸为3cm*2.5cm，厚度为390～410μm，载流子浓度为10¹⁷，禁带宽度为2.30eV。

3.根据权利要求1所述的一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，所述n-ZnO:Ga微米线的直径为10μm，电子浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³，电子迁移率为5～100cm²/V·s。

4.根据权利要求1所述的一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，所述蓝宝石衬底尺寸为2.5cm*1.5cm，厚度为390～410μm。

5.根据权利要求1所述的一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，所述石英衬底尺寸为5cm*3cm，厚度为1mm。

6.根据权利要求1所述的一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，所述In电极尺寸为2mm*2mm*1mm。

7.根据权利要求1所述的一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管，其特征在于，所述蓝宝石衬底、p-InGaN衬底的厚度相同。

8.一种低维高亮绿光发射InGaN基异质结二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将p-InGaN衬底高温退火，之后对其进行清洗；

步骤2：在步骤1中清洗过的p-InGaN上蒸镀Ni/Au电极；

步骤3：将石英衬底和蓝宝石衬底清洗干净；

步骤4：将清洗好的p-InGaN衬底和蓝宝石衬底放在石英衬底上，将单根n-ZnO:Ga微米线置于二者之上，取一块In电极，置于蓝宝石一侧的n-ZnO:Ga微米线上，作为阴极，即可构筑低维高亮绿光发射二极管。