[发明专利]半导体元件在审
申请号: | 202010361876.4 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111952422A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 张耀儒;廖文禄;张永富;张翔;陈孟扬;胖韵馨;萧翊 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/44;H01L33/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件,其特征在于,该半导体元件包括:
基底,具有第一侧以及相对于该第一侧的第二侧;
半导体结构,位于该基底的该第一侧;以及
导电反射结构,位于该基底的该第二侧,且包括金属氧化结构以及金属结构;其中该金属氧化结构位于该金属结构与该基底之间,且该金属氧化结构直接接触该第二侧的表面。
2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该金属氧化结构包括第一金属氧化层以及第二金属氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体元件,其中该第一金属氧化层包括第一导电材料,该第二金属氧化层包括第二导电材料。
4.如权利要求3所述的半导体元件,其中第一导电材料及该第二导电材料具有至少一相同的金属元素。
5.如权利要求1所述的半导体元件,其中该金属结构包括第一金属层及第二金属层。
6.如权利要求1所述的半导体元件,还包括第一电极,位于该半导体结构上且与该半导体结构电连接。
7.如权利要求1所述的半导体元件,还包括介电材料层,位于该金属氧化结构与该基底之间。
8.如权利要求1所述的半导体元件,还包括接触层,位于该导电反射结构与该基底之间且至少覆盖于该基底的一部分。
9.如权利要求1所述的半导体元件,其中,该基底为导电基板。
10.如权利要求1所述的半导体元件,其中,该半导体元件为垂直式半导体发光元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010361876.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:指示器控制系统和车辆
- 下一篇:信息处理系统、用户终端以及电子设备