[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：

基底，具有第一侧以及相对于该第一侧的第二侧；

半导体结构，位于该基底的该第一侧；以及

导电反射结构，位于该基底的该第二侧，且包括金属氧化结构以及金属结构；其中该金属氧化结构位于该金属结构与该基底之间，且该金属氧化结构直接接触该第二侧的表面。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属氧化结构包括第一金属氧化层以及第二金属氧化层。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一金属氧化层包括第一导电材料，该第二金属氧化层包括第二导电材料。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中第一导电材料及该第二导电材料具有至少一相同的金属元素。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属结构包括第一金属层及第二金属层。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括第一电极，位于该半导体结构上且与该半导体结构电连接。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括介电材料层，位于该金属氧化结构与该基底之间。

8.如权利要求1所述的半导体元件，还包括接触层，位于该导电反射结构与该基底之间且至少覆盖于该基底的一部分。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该基底为导电基板。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该半导体元件为垂直式半导体发光元件。