[发明专利]半导体元件在审

专利信息
申请号: 202010361876.4 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111952422A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 张耀儒;廖文禄;张永富;张翔;陈孟扬;胖韵馨;萧翊 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/44;H01L33/46
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体元件,其特征在于,该半导体元件包括:

基底,具有第一侧以及相对于该第一侧的第二侧;

半导体结构,位于该基底的该第一侧;以及

导电反射结构,位于该基底的该第二侧,且包括金属氧化结构以及金属结构;其中该金属氧化结构位于该金属结构与该基底之间,且该金属氧化结构直接接触该第二侧的表面。

2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该金属氧化结构包括第一金属氧化层以及第二金属氧化层。

3.如权利要求2所述的半导体元件,其中该第一金属氧化层包括第一导电材料,该第二金属氧化层包括第二导电材料。

4.如权利要求3所述的半导体元件,其中第一导电材料及该第二导电材料具有至少一相同的金属元素。

5.如权利要求1所述的半导体元件,其中该金属结构包括第一金属层及第二金属层。

6.如权利要求1所述的半导体元件,还包括第一电极,位于该半导体结构上且与该半导体结构电连接。

7.如权利要求1所述的半导体元件,还包括介电材料层,位于该金属氧化结构与该基底之间。

8.如权利要求1所述的半导体元件,还包括接触层,位于该导电反射结构与该基底之间且至少覆盖于该基底的一部分。

9.如权利要求1所述的半导体元件,其中,该基底为导电基板。

10.如权利要求1所述的半导体元件,其中,该半导体元件为垂直式半导体发光元件。

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