[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其包括基底、半导体结构及导电反射结构。基底具有一第一侧以及相对于第一侧的一第二侧。半导体结构位于基底的第一侧。导电反射结构位于基底的第二侧。导电反射结构包括一金属氧化结构以及一金属结构。金属氧化结构位于金属结构与基底之间。金属氧化结构直接接触第二侧的表面。

技术领域

本发明涉及半导体元件，特别是涉及半导体元件，如发光二极管。

背景技术

半导体元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的III-V族半导体材料可应用于各种光电半导体元件如发光二极管(Lightemitting diode，LED)、激光二极管(Laser diode，LD)、太阳能电池(Solar cell)等，能用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。其中，作为半导体元件之一的发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此大量被应用于各种领域。随着科技的发展，现今对于半导体元件仍存在许多技术研发的需求。

发明内容

本发明内容提供一种半导体元件，其包括基底、半导体结构及导电反射结构。基底具有一第一侧以及相对于第一侧的一第二侧。半导体结构位于基底的第一侧。导电反射结构位于基底的第二侧。导电反射结构包括一金属氧化结构以及一金属结构。金属氧化结构位于金属结构与基底之间。金属氧化结构直接接触第二侧的表面。

附图说明

图1A为本发明一实施例的半导体元件的结构上视图；

图1B为图1A的半导体元件沿A-A’线的剖面结构示意图；

图1C为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1D为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1E为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1F为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1G为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1H为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1I为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1J为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图2A为本发明一实施例的半导体元件的结构上视图；

图2B为图2A的半导体元件沿B-B’线的剖面结构示意图；

图3为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图4A为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图4B为本发明一实施例的图案化的金属结构示意图；

图4C为图4B中的一单元图案的放大图；

图4D为本发明一实施例的图案化的金属结构的示意图；

图5为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图6为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图7为本发明一实施例的半导体元件的封装结构示意图。

符号说明

10、20、30、40、50、60、70、80、90、90a、90b、90c、90d、90e：半导体元件

100：基底

100a：第一侧

100b：第二侧