[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有源区、漏区、以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；

隔离结构，位于所述半导体衬底内；所述隔离结构遮挡在所述源区和所述漏区之间，以阻隔所述源区和所述漏区之间的直线电流路径；所述隔离结构通过在所述半导体衬底内的沟槽内填充介质材料而形成；沿所述半导体衬底的厚度方向，所述隔离结构的深度大于所述沟道区的深度；

栅极结构，至少位于所述半导体衬底的所述沟道区之上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述沟道区在所述源区的朝向所述隔离结构的一侧连接所述源区，以及在所述漏区的朝向所述隔离结构的一侧连接所述漏区。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

沿平行所述半导体衬底表面方向的第一方向，所述沟道区的宽度大于所述源区和所述漏区的宽度；其中，所述第一方向垂直于所述源区和所述漏区的连线方向。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述沟道区环绕所述隔离结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述隔离结构包括多个分立设置的子隔离结构；相邻两所述子隔离结构沿第二方向至少部分交叠；其中，所述第二方向为所述源区和所述漏区的连线方向。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有源区、漏区、以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；

通过在所述沟道区内设置隔离结构使所述沟道区为环形结构，以使所述源区和所述漏区之间的电流沿所述环形结构提供的非直线路径进行传输；所述隔离结构通过在所述半导体衬底内的沟槽内填充介质材料而形成；沿所述半导体衬底的厚度方向，所述隔离结构的深度大于所述沟道区的深度；

栅极结构，至少位于所述半导体衬底的所述沟道区之上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述源区和所述漏区分别连接于所述环形结构的两相对侧。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道区为环形结构，具体包括：

所述沟道区沿平行所述半导体衬底表面方向上的截面形状为环形，且所述环形沿所述源区和所述漏区的连线方向对称。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述沟道区包括位于所述源区和所述漏区连线区域内的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间通过至少一个隔离结构间隔。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

所述沟道区还包括凸出于所述源区和所述漏区连线区域的第三部分和第四部分，所述第三部分和所述第四部分分别在所述连线区域的两相对侧连接所述第一部分和所述第二部分。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成源区、漏区、以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；

刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；

在所述沟槽内填充介质材料，形成位于所述半导体衬底内的隔离结构，所述隔离结构遮挡在所述源区和所述漏区之间，以阻隔所述源区和所述漏区之间的直线电流路径；沿所述半导体衬底的厚度方向，所述隔离结构的刻蚀深度大于所述沟道区的深度；

形成至少位于所述半导体衬底的所述沟道区之上的栅极结构。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述沟道区在所述源区的朝向所述隔离结构的一侧连接所述源区，以及在所述漏区的朝向所述隔离结构的一侧连接所述漏区。