[发明专利]带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010363480.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111524802B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 丁佳;冯大贵;吴长明;欧少敏;崔艳雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/263 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 sgt 结构 mos 器件 多晶 刻蚀 方法 | ||
1.一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
提供沉淀有多晶硅层的器件；
将所述器件置入刻蚀系统中；
提供六氟化硫气体作为刻蚀气体，在所述刻蚀系统中射频放电的作用下，所述刻蚀气体形成等离子体束；所述刻蚀气体包括氧气和六氟化硫气体的混合气体，所述刻蚀气体中氧气和六氟化硫气体的质量比为：3:30；
通过所述等离子体束对所述器件的多晶硅层进行各向同性刻蚀形成多晶硅栅。
2.如权利要求1所述的带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，所述氧气用于去除含硫反应生成物。
3.如权利要求1所述的带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，所述提供沉淀有多晶硅层的器件的步骤，包括：
提供硅衬底；
刻蚀所述硅衬底形成屏蔽沟槽；
通过化学气沉淀形成屏蔽电极介质层，所述屏蔽电极介质层覆盖在所述屏蔽沟槽的内壁上；
淀积多晶硅形成多晶硅层，所述屏蔽沟槽内填充有所述多晶硅层。
4.如权利要求1所述的带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，在提供六氟化硫气体作为刻蚀气体时，使得所述刻蚀系统的工作环境包括：
使得所述刻蚀系统中的反应气压为：8～12mTorr。
5.如权利要求1所述的带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，在提供六氟化硫气体作为刻蚀气体时，使得所述刻蚀系统的工作环境包括：
使得所述刻蚀系统中的反应温度为：50～80℃。
6.如权利要求1所述的带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，在提供六氟化硫气体作为刻蚀气体时，使得所述刻蚀系统的工作环境包括：
使得所述刻蚀系统中的射频功率为：300～500W。
7.如权利要求1所述的带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，所述通过所述等离子体束对所述器件的多晶硅层进行各向同性刻蚀形成多晶硅栅的步骤，包括：
通过无偏压射频溅射，将所述等离子体束轰击所述器件的多晶硅层，使得所述多晶硅层进行各向同性刻蚀形成多晶硅栅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010363480.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于人体行为分析的新能源汽车唤醒系统
- 下一篇：高精度滤料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
