[发明专利]一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010363610.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111455337A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘稳;王荣福 | 申请（专利权）人： | 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/16;C22C9/01 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 井晓奇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单面 导电 镀铜 pi 及其 制备 方法 | ||
1.一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；
步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；
所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr 0.2-0.6％，Al 1-3％，Mn 0.5-1％，其余为Cu；
步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。
2.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述PI膜的厚度为25-75μm，所述铬支撑层的厚度为0.1-1μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为2-8μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.2-0.6μm。
3.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述铜合金靶材的制备方法为：
将Cr、Al、Mn和Cu原料用感应熔炼法，在真空气氛下，1100-1200℃的温度下进行熔炼合金化，再将合金化后的熔融液浇铸到铸模中，得到铜合金靶材。
4.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述PI膜的厚度为30μm，所述铬支撑层的厚度为0.5μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为5μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.3μm。
5.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr 0.3％，Al 1.5％，Mn 0.7％，其余为Cu。
6.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述铜合金靶材上设有循环水冷却装置。
7.权利要求1-6任一项所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法制备得到的单面导电镀铜PI膜。
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