[发明专利]一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法

说明书

本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，具体涉及一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。本发明的有益效果在于：本发明所得单面导电镀铜PI膜具有较强的抗腐蚀能力和好的力学性能。在50MHZ‑1.5GHZ条件下，屏蔽效能达80‑130dB。本发明单面导电镀铜PI膜较薄而且密度低，对电子产品整体的重量增加不明显，减少占据的空间。

技术领域

本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，具体涉及一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法。

背景技术

随着技术的发展，市场要求电子产品更轻量化，以至各种集成芯片的集成度更高。大量的各种芯片工作时，会对外产生一定量的电磁辐射。这些电磁辐射会对外界电磁信号产生干涉，影响其他发射信号或接收信号类产品的使用，

业内一般有如下方法：1、如在笔记本电脑电源适配器中，在内部先用绝缘片包裹后再用铝箔包裹，铝箔起屏蔽作用。通过手工或机器设置绝缘片和铝箔，工艺繁杂，并且绝缘性能不可靠。2、采用金属屏蔽罩将芯片或整个线路板封盖住，当电磁波遇到导电金属时，会被反射回来，起到了屏蔽电磁波作用。不足之处：a、金属屏蔽罩密度较大，明显增加了电子产品的重量；b、金属屏蔽罩是导电的，屏蔽罩需要与芯片间隔一定的距离，以至屏蔽罩占空间较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种绝缘，重量轻，电磁屏蔽效果好的单面导电镀铜PI膜及其制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：提供一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；

步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；

所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr 0.2-0.6％，Al 1-3％，Mn 0.5-1％，其余为Cu；

步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。

本发明的另一技术方案为：提供一种上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法制备得到的单面导电镀铜PI膜。

本发明的有益效果在于：本发明所得单面导电镀铜PI膜可用于笔记本电脑电源适配器，PI膜层是绝缘的可代替绝缘片来达到绝缘效果，可以让单面导电镀铜PI膜中的PI膜一面贴近距或贴紧芯片，减少占据的空间，并且PI膜上的多层的金属屏蔽层可代替铝箔达到更好的电磁屏蔽作用，在50MHZ-1.5GHZ条件下，屏蔽效能达80-115dB。本发明单面导电镀铜PI膜较薄而且密度低，对笔记本电脑电源适配器等电子产品整体的重量增加不明显(金属屏蔽层的厚度一般100μm以上)。同时。金属屏蔽层蔽壳代替铜箔卷包具有较强的抗腐蚀能力和保护能力，不会变形、破裂，可靠性好。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。

本发明提供一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；

步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；

所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr 0.2-0.6％，Al 1-3％，Mn 0.5-1％，其余为Cu；