[发明专利]一种NOR Flash的擦除方法

权利要求书

1.一种NOR Flash的擦除方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、获取擦除指令；

步骤S2、判断所获取的擦除指令是否为整个芯片擦除指令，若是，则进入步骤S3；若否，则判断所获取的擦除指令是否为上电后第一次擦除指令，若否，则进入步骤S3，若是，则刷新整个芯片，然后进入步骤S3；

所述刷新整个芯片的步骤包括：

步骤S21、采用第一电压对整个芯片的一存储单元进行电压校验，若通过校验，则进入步骤S23；若没有通过校验，则进入步骤S22；

步骤S22、采用第二电压对该整个芯片的一存储单元进行电压校验，第二电压高于第一电压，若通过校验，则进入步骤S23，若没有通过校验，则对该存储单元进行更新操作，然后重复步骤S22，直至进入步骤S23为止；

步骤S23、对芯片的另一存储单元执行步骤S21，直到整个芯片的所有存储单元均执行过步骤S21为止；

步骤S3、再次判断所获取的擦除指令是否为整个芯片擦除指令，若是，则对芯片的所有存储单元执行擦除操作；若否，则刷新芯片所选中的块；

所述刷新芯片所选中的块的步骤包括：

步骤S31、采用第一电压对芯片所选中的块的一存储单元进行电压校验，若通过校验，则进入步骤S33；若没有通过校验，则进入步骤S32；

步骤S32、采用第二电压对该芯片所选中的块的一存储单元进行电压校验，第二电压高于第一电压，若通过校验，则进入步骤S33，若没有通过校验，则对该存储单元进行更新操作，然后重复步骤S32，直至进入步骤S33为止；

步骤S33、对芯片所选中的块的另一存储单元执行步骤S31，直到该芯片所选中的块的所有存储单元均执行过步骤S31为止。

2.根据权利要求1所述的NOR Flash的擦除方法，其特征在于，在步骤S21中，所述采用第一电压对整个芯片的一存储单元进行电压校验的步骤包括：

预设第一参考电流；给整个芯片的待电压校验的存储单元的字线上施加第一电压，在该待电压校验的存储单元中得到第一测试电流；若第一测试电流低于第一参考电流，则没有通过校验，若第一测试电流高于第一参考电流，则通过校验；

在步骤S22中，采用第二电压对该整个芯片的一存储单元进行电压校验的步骤包括：

预设第二参考电流；给整个芯片的待电压校验的存储单元的字线上施加第二电压，在该待电压校验的存储单元中得到第二测试电流；若第二测试电流高于第二参考电流，则没有通过校验，若第二测试电流低于第二参考电流，则通过校验；

在步骤S31中，所述采用第一电压对芯片所选中的块的一存储单元进行电压校验的步骤包括：

给芯片所选中的块的待电压校验的存储单元的字线上施加第一电压，在该待电压校验的存储单元中得到第三测试电流；若第三测试电流低于第一参考电流，则没有通过校验，若第三测试电流高于第一参考电流，则通过校验；

在步骤S32中，所述采用第二电压对该芯片所选中的块的一存储单元进行电压校验的步骤包括：

给芯片所选中的块的待电压校验的存储单元的字线上施加第二电压，在该待电压校验的存储单元中得到第四测试电流；若第四测试电流高于第二参考电流，则没有通过校验，若第四测试电流低于第二参考电流，则通过校验。