[发明专利]一种半导体封装器件

说明书

本申请公开了一种半导体封装器件，包括：封装基板，封装基板设置有通孔；同层设置的第一主芯片和第二主芯片，位于封装基板一侧，第一主芯片和第二主芯片的功能面上的信号传输区相邻设置且与通孔的位置对应，第一主芯片和第二主芯片的功能面上的非信号传输区与封装基板电连接；连接芯片，至少部分位于通孔内，且连接芯片与第一主芯片和第二主芯片的信号传输区电连接。本申请提供的半导体封装器件，能够降低封装成本，提高半导体封装器件的性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体封装器件。

背景技术

现有的基于聚合物的2D封装技术是最基本、应用最广泛的封装形式，技术成熟，成本也较低，但是形成的半导体封装器件没有第三方向的连接，且线宽较大。近期发展起来的基于硅中介板的封装技术线宽较小，形成的半导体封装器件的电性能和热传导性能均表现优异，但是成本较高，且硅材料脆性较高，导致半导体封装器件的稳定性较低。因此，需要结合现有封装技术的优点，发展一种新的封装技术，形成一种新的半导体封装器件，能够降低成本，且形成的半导体封装器件的性能优异。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体封装器件，能够降低封装成本，提高半导体封装器件的性能。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：

提供一种半导体封装器件，包括：封装基板，所述封装基板设置有通孔；同层设置的第一主芯片和第二主芯片，位于所述封装基板一侧，所述第一主芯片和所述第二主芯片的功能面上的信号传输区相邻设置且与所述通孔的位置对应，所述第一主芯片和所述第二主芯片的功能面上的非信号传输区与所述封装基板电连接；连接芯片，至少部分位于所述通孔内，且所述连接芯片与所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区电连接。

其中，所述半导体封装器件还包括：第一导电柱，位于所述第一主芯片和所述第二主芯片的功能面上的所述非信号传输区的焊盘位置处，其一端与所述封装基板电连接，其另一端与所述非信号传输区的焊盘电连接；第二导电柱，位于所述第一主芯片和所述第二主芯片的功能面上的所述信号传输区的焊盘位置处，其一端与所述连接芯片电连接，其另一端与所述信号传输区的焊盘电连接。

或者，所述半导体封装器件还包括：再布线层，位于所述第一主芯片和所述第二主芯片的功能面上，所述再布线层的不同区域分别与所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区和所述非信号传输区的焊盘电连接；第一导电柱，位于所述再布线层与所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述非信号传输区对应的位置处，其一端与所述封装基板电连接，其另一端与所述再布线层电连接；第二导电柱，位于所述再布线层与所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区对应的位置处，其一端与所述连接芯片电连接，其另一端与所述再布线层电连接。

其中，所述第一导电柱与所述第二导电柱高度相同。

其中，所述半导体封装器件还包括：第三导电柱，位于所述连接芯片的功能面的焊盘位置处，其一端与所述连接芯片的焊盘电连接，其另一端与所述第二导电柱电连接。

其中，所述通孔的深度大于所述连接芯片与所述第三导电柱的高度之和，所述连接芯片全部位于所述通孔内部。

其中，所述半导体封装器件还包括：第一底填胶，位于所述第一主芯片和所述第二主芯片的信号传输区与所述连接芯片的功能面之间。

其中，在所述第一主芯片至所述连接芯片方向上，所述第一底填胶的竖截面为倒梯形。

其中，所述半导体封装器件还包括：第二底填胶，位于所述第一主芯片和所述第二主芯片的非信号传输区与所述封装基板之间。

其中，所述半导体封装器件还包括：第一塑封层，连续覆盖所述第一主芯片和所述第二主芯片的侧面。