[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 202010366691.2 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN111524839B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 中井仁司;大桥泰彦 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/687;B05C5/02;B05C9/04;B05C11/10;B08B3/04;B08B11/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,
具有:
腔室,其具有腔室主体以及腔室盖部,通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间,
腔室开闭机构,其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动,
基板保持部,其配置在所述腔室内,且以水平状态保持基板,
基板旋转机构,其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转,
处理液供给部,其向所述基板上供给处理液,
罩部,其在整周上位于通过使所述腔室盖部与所述腔室主体分离而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧,接受从旋转的所述基板飞散的处理液,
罩移动机构,其使所述罩部在位于所述环状开口的径向外侧的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之间在所述上下方向上进行移动;
所述罩部具有:
圆筒状的侧壁部,在所述第一位置,在所述径向上与所述环状开口相向,
第一密封部,在所述第一位置,在整周上在与所述腔室盖部之间形成第一密封结构,
第二密封部,在所述第一位置,在整周上在与所述腔室主体之间形成第二密封结构;
形成所述环状开口的状态下的所述腔室盖部以及所述腔室主体、位于所述第一位置的所述罩部形成比内部空间大的密闭的空间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一密封部呈从所述侧壁部的上端部向径向内侧延伸的圆环状,
通过使所述第一密封部与所述腔室盖部相接触,来在所述第一密封部和所述腔室盖部之间形成所述第一密封结构。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述腔室主体具有液体贮存部,该液体贮存部设置在以所述中心轴为中心的整个周向上,且用于贮存密封用液体,
所述第二密封部呈圆筒状,且配置在所述侧壁部的周围,
通过使所述第二密封部的下端部位于在所述液体贮存部中所贮存的所述密封用液体内,在第二密封部和所述腔室主体之间形成所述第二密封结构。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二密封部为在整周上设置在所述侧壁部的周围的波纹管,
所述第二密封部的上端部与所述侧壁部相连接,
所述第二密封部的下端部与所述腔室主体相连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板旋转机构具有:
环状的转子部,其配置在所述腔室的所述内部空间内,且安装有所述基板保持部;
定子部,其配置在所述腔室外的所述转子部的周围,并且在与所述转子部之间产生旋转力。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述转子部借助作用于所述转子部和所述定子部之间的磁力,在所述内部空间内以悬浮状态进行旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造