[发明专利]基板处理装置

说明书

基板处理装置具有腔室、基板保持部、基板旋转机构、受液部及上下喷嘴。腔室具有腔室主体和腔室盖部，并且腔室盖部能够进行升降。在腔室盖部与腔室主体相接触的状态下，形成小的密闭空间，并且进行伴随着减压或者加压进行的处理。当腔室盖部上升时，在腔室盖部和腔室主体之间形成环状开口。第一罩部以及第二罩部位于环状开口的外侧。从基板飞散的处理液被第一罩部或者第二罩部接受。在基板处理装置中，能够在小的腔室内进行各种处理。

本申请是申请号为201611221241.4、申请日为2013年8月30日、发明名称为“基板处理装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于处理基板的基板处理装置。

背景技术

以往，在半导体基板(下面，仅称为“基板”)的制造工序中，利用各种基板处理装置对基板进行各种处理。例如，向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂或对基板进行清洗的处理。

在日本特开平9-246156号公报(文献1)的装置中，通过冲洗液冲掉晶片上的显影液等之后，对晶片进行干燥处理。具体地说，在晶片被搬入至冲洗处理部中并被晶片吸附部吸附，且冲洗处理部的开口被闸门堵塞之后，对冲洗处理部的内部空间进行排气。然后，在变为减压环境的内部空间内，一边使晶片与晶片吸附部一起进行低速旋转，一边供给冲洗液，然后使晶片进行高速旋转，由此对晶片进行干燥处理。另外，在日本特开2006-105524号公报(文献2)中，公开了如下的减压干燥装置，即，在使容置有基板的腔室内形成减压环境的状态下，对在基板的主面上形成的薄膜进行干燥。

但是，要在同一腔室内进行利用各种液体的处理和干燥处理，则各种处理液附着于腔室内壁上，从而降低处理液的回收效率，或者缩短再利用的处理液的寿命。另外，在由于多个处理液而在腔室内壁上产生析出物时，也会成为颗粒的产生原因。而且，也可能由于多个处理液混合而产生发热或产生烟的反应。另一方面，为了减少处理中使用的气体的量，优选腔室内的空间的体积小。

发明内容

本发明涉及用于处理基板的基板处理装置，其目的在于提供一种能够高效地回收处理液，并且能够在小的腔室内进行各种处理的基板处理装置。另外，其目的还在于通过配置在腔室的外部的罩部，在密闭的空间内接受处理液。

本发明的基板处理装置，具有：腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部或者下部的腔室活动部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板的上表面或者下表面供给处理液；罩部，其位于通过所述腔室活动部的移动而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，并接受从旋转的所述基板飞散的处理液。由此，能够提供能够高效地回收处理液，且能够在小的腔室内进行各种处理的基板处理装置。

在本发明的其它方面中，基板处理装置具有：腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部的腔室盖部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板，其呈与所述中心轴相垂直的板状，以能够以所述中心轴为中心旋转的方式安装在所述腔室盖部上，并且在所述腔室形成密闭的所述内部空间的状态下，在以所述中心轴为中心的周向上与所述基板保持部相卡合。由此，能有用简单的结构防止附着于腔室内部的液体向基板落下。