[发明专利]一种栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构及其制备方法

权利要求书

1.一种栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构，包括衬底硅片、在衬底1上的N型外延层2，其特征在于：在所述N型外延层2上表面刻蚀槽深4-6um的沟槽3，在沟槽3底部垫氧层4厚度在4000-7000A，在沟槽底部垫氧层4内沉积有源极多晶硅5，栅间隔离介质6的顶端形成凸起，栅极多晶硅8底部与栅间隔离介质6的顶端凸起相接，周围被栅氧化层包覆。

2.根据权利要求1所述的栅间隔离介质厚度不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构，其特征在于：栅间隔离介质的厚度在2000-4000A。

3.一种根据权利要求1或2所述分裂栅MOSFET结构的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤1，在衬底1上生长N型外延层2；

步骤2，在N型外延层2上表面进行沟槽的刻蚀，至槽深4-6um；

步骤3，通过热氧化的方法在沟槽和N型外延层表面生长一层底部垫氧层，该垫氧层厚度在4000-7000A；

步骤4，进行源极多晶硅5的淀积，由于源多晶淀积是往深沟槽进行淀积，淀积完成后沟槽中心留有一个凹坑；

步骤5，进行源极多晶硅5的刻蚀和回刻，刻蚀出1.4um的槽深，为后续栅间隔离介质，栅氧化层和栅极多晶硅的生长和填充留出空间；

步骤6，进行栅间隔离介质6的热生长，热生长厚度超出沟槽表面并由于多晶边界厚二氧化硅层底部垫氧层的隔离作用，在多晶柱顶端形成一个凸起；

步骤7，进行多晶氧化层栅间隔离介质6的高温固化，进行栅间隔离介质6和底部垫氧层的同步湿法腐蚀，预留出厚度2000-4000 A的栅间隔离介质；

步骤8，进行栅氧化层7的氧化生长，栅氧化层7厚度根据器件参数要求选择，最后进行栅极多晶硅8的淀积，得到栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构。

4.根据权利要求1或2所述分裂栅MOSFET结构的制备方法，其特征在于，步骤7中，条件为1100℃摄，30分钟，通氧气流量0.5-2升/分钟。