[发明专利]一种掩模台、曝光装置和光刻设备

说明书

本发明公开了一种掩模台、曝光装置和光刻设备，该掩模台包括承版台、至少三个支撑固定单元和至少三个形变补偿单元；其中，承版台包括透光区和围绕透光区的非透光区；至少三个支撑固定单元设置于承版台的非透光区，且各支撑固定单元均匀分布于透光区的周围；至少三个形变补偿单元设置于承版台的非透光区，且位于支撑固定单元靠近透光区的一侧；各形变补偿单元均匀分布于透光区的周围。本发明实施例提供的掩模台结构简单，能够减小放置于该掩模台上的掩模版在水平方式和竖直方向上的形变，从而能够提高曝光精度，提高光刻准确度，进而提高产品良率，降低生产成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体工艺设备技术邻域，尤其涉及一种掩模台、曝光装置和光刻设备。

背景技术

掩模版作为图形信息的载体，通过曝光过程，将图形转移到被曝光产品上，该被曝光产品例如可以为硅片、导电玻璃、铜箔等，从而实现图形的转移。在光刻工艺过程中，通常将掩模版放置于曝光装置的掩模台上，以使掩模台支撑、固定掩模版。

由于掩模版受自重影响，会产生竖直方向的变形，使得曝光时产生系统离焦。现有技术中，通过在掩模台上设置真空吸附装置，对掩模台上的掩模版施加向外的拉力，以改善掩模版因自重而产生的竖直方向的形变。但是，现有技术的真空吸附装置对掩模版施加向外的拉力时，该掩模版会因各个方向的拉力不均而产生水平方向的形变，从而引起掩模图形的偏移，影响光刻工艺的准确度，进而影响器件的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种掩模台、装曝光置和光刻设备，以同时减小掩模版的水平方向和竖直方向的形变对光刻工艺的影响。

第一方面，本发明实施例提供一种掩模台，包括：

承版台，包括透光区和围绕所述透光区的非透光区；

至少三个支撑固定单元，设置于所述承版台的非透光区，且各所述支撑固定单元均匀分布于所述透光区的周围；所述支撑固定单元用于支撑固定掩模版；

至少三个形变补偿单元，设置于所述承版台的非透光区，且位于所述支撑固定单元靠近所述透光区的一侧；各所述形变补偿单元均匀分布于所述透光区的周围；所述形变补偿单元用于提供与所述掩模版的重力方向相反的形变支撑力。

第二方面，本发明实施例还提供一种曝光装置，包括上述掩模台。

第三方面，本发明实施例还提供一种光刻设备，包括上述曝光装置。

本发明实施例提供的掩模台、曝光装置和光刻设备，通过在承版台的非透光区设置至少三个支撑固定单元和至少三个形变补偿单元，且形变补偿单元位于支撑固定单元靠近承版台透光区的一侧，该支撑固定单元支撑并固定放置于承版台的掩模版，而形变补偿单元则可提供与掩模版的重力方向相反的形变支撑力，以抵消掩模版的重力，从而减小掩模版因自重而产生的形变；同时该掩模台中未引进水平方向上的拉力，能够防止因受拉力而使掩模版产生水平方向上的形变。本发明实施例提供的掩模台结构简单，能够同时减小放置于该掩模台上的掩模版在水平方式和竖直方向上的形变，从而能够提高曝光精度和光刻准确度，进而提高产品良率，降低生产成本。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种掩模台的结构框图；

图2是本发明实施例提供的一种掩模台的截面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种掩模台的俯视结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种掩模台的立体结构示意图；

图5是沿图4中B-B'截面的一种掩模台的剖面结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种掩模台水平方向上的剖面结构示意图；

图7是本发明实施例提供的一种曝光装置的结构框图；