[发明专利]一种芯片封装方法有效
申请号: | 202010367772.4 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111554627B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 夏鑫;李红雷 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 | ||
本申请公开了一种芯片封装方法,包括:提供第一封装体和第二封装体,第一封装体和第二封装体中分别包含多个第一导电柱和第一塑封层,第一塑封层覆盖第一导电柱的侧面;将第一封装体和第二封装体间隔设置于封装基板上,且第一封装体和第二封装体之间的间隔区域设置有连接芯片,第一封装体和第二封装体远离封装基板的一侧分别设置有第一主芯片和第二主芯片;其中,第一主芯片和第二主芯片的信号传输区相邻设置,第一主芯片和第二主芯片的信号传输区的焊盘与连接芯片电连接,第一主芯片和第二主芯片的非信号传输区的焊盘与第一导电柱电连接。本申请提供的芯片封装方法,能够降低封装成本,提高封装器件的性能。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种芯片封装方法。
背景技术
现有的基于聚合物的2D封装技术是最基本、应用最广泛的封装形式,技术成熟,成本也较低,但是没有第三方向的连接,且线宽较大。近期发展起来的基于硅中介板的封装技术线宽较小,形成的封装器件的电性能和热传导性能均表现优异,但是成本较高,且硅材料脆性较高,导致封装器件的稳定性较低。因此,需要结合现有封装技术的优点,发展一种新的封装技术,能够降低成本,且形成的封装器件的性能优异。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法,能够降低封装成本,提高封装器件的性能。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:
提供一种芯片封装方法,包括:提供第一封装体和第二封装体,所述第一封装体和所述第二封装体中分别包含多个第一导电柱和第一塑封层,所述第一塑封层覆盖所述第一导电柱的侧面;将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于封装基板上,且所述第一封装体和所述第二封装体之间的间隔区域设置有连接芯片,所述第一封装体和所述第二封装体远离所述封装基板的一侧分别设置有第一主芯片和第二主芯片;其中,所述第一主芯片和所述第二主芯片的信号传输区相邻设置,所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区的焊盘与所述连接芯片电连接,所述第一主芯片和所述第二主芯片的非信号传输区的焊盘与所述第一导电柱电连接。
其中,所述提供第一封装体或所述提供第二封装体,包括:
提供可移除的载板,所述载板定义有至少一个区域;在每个所述区域形成多个所述第一导电柱;在所述载板设置有所述第一导电柱的一侧形成第一塑封层,所述第一导电柱远离所述载板的一侧表面从所述第一塑封层中露出;移除所述载板。
其中,所述将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于封装基板上,之前,包括:
在所述第一导电柱朝向所述封装基板的一侧表面形成第一焊料,或者,在所述封装基板的一侧表面形成第一焊料。
其中,所述将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于封装基板上,且所述第一封装体和所述第二封装体之间的间隔区域设置有连接芯片,包括:将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于表面平整的所述封装基板上;将所述连接芯片的非功能面朝向所述封装基板,且设置于所述第一封装体和所述第二封装体之间的间隔区域。
或者,所述将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于封装基板上,且所述第一封装体和所述第二封装体之间的间隔区域设置有连接芯片,包括:将所述连接芯片设置于表面平整的所述封装基板上,且所述连接芯片的所述非功能面朝向所述封装基板;将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于所述连接芯片的相对两侧。
或者,所述将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于封装基板上,且所述第一封装体和所述第二封装体之间的间隔区域设置有连接芯片,包括:将所述第一封装体和所述第二封装体间隔设置于表面设置凹槽的所述封装基板上,且所述凹槽对应设置于所述第一封装体和所述第二封装体的间隔区域;将所述连接芯片的非功能面朝向所述封装基板,设置于所述第一封装体和所述第二封装体之间的间隔区域,且所述连接芯片的至少部分位于所述凹槽内。
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