[发明专利]一种芯片封装方法有效
申请号: | 202010367773.9 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111554628B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 李骏;戴颖 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 | ||
本申请公开了一种芯片封装方法,该方法包括:提供一组相邻设置的第一芯片和第二芯片,且第一芯片和第二芯片功能面上的信号传输区相邻设置,第一芯片和第二芯片的信号传输区高度小于第一芯片和第二芯片的非信号传输区的高度;将连接芯片的功能面上的连接焊盘与第一芯片和第二芯片的信号传输区上的焊盘电连接;将第一芯片和第二芯片的功能面以及连接芯片的非功能面朝向封装基板,并使第一芯片和第二芯片的非信号传输区与封装基板电连接。通过上述方式,本申请能够提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率,提高封装器件的性能。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种芯片封装方法。
背景技术
随着电子产品的更新换代,对于芯片封装技术的要求也越来越高,现有的芯片封装技术中,通常先将芯片与硅中介板进行连接,然后将硅中介板与基板进行连接。上述方式形成的封装器件的电性能和热传导性能均表现优异,但是成本较高,且硅中介板脆性较高,导致封装器件的稳定性较低。因此,需要发展一种新的封装技术,能够降低成本,且形成的封装器件的性能优异。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法,能够降低成本,提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供芯片封装方法,所述芯片封装方法包括:提供一组相邻设置的第一芯片和第二芯片,且所述第一芯片和所述第二芯片功能面上的信号传输区相邻设置,所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区高度小于所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区的高度;将连接芯片的功能面上的连接焊盘与所述第一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区上的焊盘电连接;将所述第一芯片和所述第二芯片的功能面以及所述连接芯片的非功能面朝向封装基板,并使所述第一芯片和所述第二芯片的所述非信号传输区与所述封装基板电连接。
其中,所述将连接芯片的功能面上的连接焊盘与所述第一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区上的焊盘电连接之后,包括:在所述连接芯片的功能面、所述第一芯片和所述第二芯片功能面上的信号传输区之间形成第一底填胶。
其中,所述提供一组相邻设置的第一芯片和第二芯片,包括:提供可去除的载板,所述载板定义有至少一个区域,一个区域对应一组相邻设置的所述第一芯片和所述第二芯片;在每个所述区域的内侧黏贴所述相邻设置的所述第一芯片和所述第二芯片,且所述第一芯片和所述第二芯片的非功能面朝向所述载板。
其中,所述连接芯片与所述信号传输区焊盘电连接后,所述连接芯片的非功能面不凸出于所述非信号传输区。
其中,所述将所述第一芯片和所述第二芯片的功能面以及所述连接芯片的非功能面朝向封装基板之前,包括:在所述载板设置有所述连接芯片一侧形成第一塑封层,所述第一塑封层覆盖所述第一芯片、所述第二芯片以及所述连接芯片;研磨所述第一塑封层,直至所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区焊盘露出;在所述第一塑封层表面形成第一再布线层,所述第一再布线层与所述非信号传输区焊盘电连接。
其中,所述将所述第一芯片和所述第二芯片的功能面以及所述连接芯片的非功能面朝向封装基板,并使所述第一芯片和所述第二芯片的所述非信号传输区与所述封装基板电连接,包括:将所述第一再布线层朝向所述封装基板,并使所述第一再布线层与所述封装基板电连接;去除所述载板。
其中,所述将所述第一芯片和所述第二芯片的功能面以及所述连接芯片的非功能面朝向封装基板之前,包括:在所述封装基板表面形成第二再布线层。
其中,所述将所述第一芯片和所述第二芯片的功能面以及所述连接芯片的非功能面朝向封装基板,并使所述第一芯片和所述第二芯片的所述非信号传输区与所述封装基板电连接,包括:将所述第一芯片和所述第二芯片的功能面以及所述连接芯片的非功能面朝向所述封装基板上的第二再布线层,并使所述第二再布线层与所述第一芯片和所述第二芯片的所述非信号传输区与所述第二再布线层电连接;去除所述载板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造