[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）提供一基板，接着在所述基板上设置多个半导体芯片，多个所述半导体芯片相互间隔排列；

（2）通过研磨或切割工艺使得每个所述半导体芯片的四个侧面均为倾斜侧面；

（3）接着在所述基板上沉积介电材料以形成电介层，所述电介层覆盖所述基板的上表面、所述半导体芯片的侧表面以及所述半导体芯片的上表面；

（4）第一银纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为5-8 mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为2-4 mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第一银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第一银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述电介层；

（5）接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第一封装层，所述第一封装层完全覆盖所述第一银纳米线/银纳米颗粒复合层；

（6）第二纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为8-10mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为5-7mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第二银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第二银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述第一封装层；

（7）接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第二封装层，所述第二封装层完全覆盖所述第二银纳米线/银纳米颗粒复合层；

（8）第三纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为4-6mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为1-2mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第三银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第三银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述第二封装层；

（9）接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述第三银纳米线/银纳米颗粒复合层；

（10）第四纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为1-3mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为0.5-1mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第四银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第四银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述第三封装层；

（11）接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第四封装层，所述第四封装层完全覆盖所述第四银纳米线/银纳米颗粒复合层；

（12）接着进行热压合处理；

其中，在所述步骤（2）中，所述半导体芯片的所述倾斜侧面与所述半导体芯片的下表面的夹角的范围是30-60度，在所述步骤（12）中，进行热压合处理的具体步骤为：在一定压力条件下，在150-220℃下热处理20-30分钟。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于：在所述步骤（4）中，旋涂银纳米线的悬浮液的转速为2000-3000转/分钟，旋涂银纳米线的悬浮液的时间为1-3分钟，旋涂银纳米颗粒的悬浮液的转速为3000-4000转/分钟，旋涂银纳米颗粒的悬浮液的时间为1-3分钟，热处理的具体步骤为：在惰性环境中，在200-300℃下热处理20-40分钟。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于：在所述步骤（6）中，旋涂银纳米线的悬浮液的转速为4000-5000转/分钟，旋涂银纳米线的悬浮液的时间为1-3分钟，旋涂银纳米颗粒的悬浮液的转速为5000-6000转/分钟，旋涂银纳米颗粒的悬浮液的时间为1-3分钟，热处理的具体步骤为：在惰性环境中，在150-200℃下热处理20-30分钟。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于：在所述步骤（8）中，旋涂银纳米线的悬浮液的转速为5000-6000转/分钟，旋涂银纳米线的悬浮液的时间为1-3分钟，旋涂银纳米颗粒的悬浮液的转速为6000-7000转/分钟，旋涂银纳米颗粒的悬浮液的时间为1-3分钟，热处理的具体步骤为：在惰性环境中，在120-180℃下热处理10-20分钟。