[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提出的一种半导体结构及其形成方法，包括以下步骤：在基板上设置多个半导体芯片，通过研磨或切割工艺使得每个所述半导体芯片的四个侧面均为倾斜侧面；在所述基板上依次形成电介层、第一银纳米线/银纳米颗粒复合层、第一封装层、第二纳米线/银纳米颗粒复合层、第二封装层、第三纳米线/银纳米颗粒复合层、第三封装层、第四纳米线/银纳米颗粒复合层以及第四封装层，接着进行热压合处理。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着电子系统越来越复杂，系统集成度越来越高，电子芯片的组成部分，诸如：晶体管、集成电路、半导体器件等部件的尺寸也越来越小，间距也越来越近。各部件之间的串扰问题变的更加突显，在电子系统设计中，各部件之间的隔离成为系统设计中不可缺少的重要考虑因素。现有的具有电磁屏蔽结构的半导体封装的制备过程中，通常是在封装基板上设置半导体芯片，接着形成塑封层以覆盖所述半导体芯片，接着在所述塑封层的表面沉积金属材料以形成电磁屏蔽结构，然而现有的封装结构中，容易引起电磁屏蔽结构的剥离。如何优化电磁屏蔽结构的形成方式，这引起了人们的关注。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体结构及其形成方法。

为实现上述目的，本发明提出的一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：

(1)提供一基板，接着在所述基板上设置多个半导体芯片，多个所述半导体芯片相互间隔排列。

(2)通过研磨或切割工艺使得每个所述半导体芯片的四个侧面均为倾斜侧面。

(3)接着在所述基板上沉积介电材料以形成电介层，所述电介层覆盖所述基板的上表面、所述半导体芯片的侧表面以及所述半导体芯片的上表面。

(4)第一银纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为5-8mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为2-4mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第一银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第一银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述电介层。

(5)接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第一封装层，所述第一封装层完全覆盖所述第一银纳米线/银纳米颗粒复合层。

(6)第二纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为8-10mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为5-7mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第二银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第二银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述第一封装层。

(7)接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第二封装层，所述第二封装层完全覆盖所述第二银纳米线/银纳米颗粒复合层。

(8)第三纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为4-6mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为1-2mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第三银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第三银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述第二封装层。

(9)接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述第三银纳米线/银纳米颗粒复合层。

(10)第四纳米线/银纳米颗粒复合层的制备：接着在所述基板上旋涂浓度为1-3mg/ml银纳米线的悬浮液，接着在所述基板上旋涂浓度为0.5-1mg/ml银纳米颗粒的悬浮液，然后进行热处理，形成第四银纳米线/银纳米颗粒复合层，使得所述第四银纳米线/银纳米颗粒复合层完全覆盖所述第三封装层。

(11)接着在所述基板上喷涂树脂材料以形成第四封装层，所述第四封装层完全覆盖所述第四银纳米线/银纳米颗粒复合层。

(12)接着进行热压合处理。